中科(合肥)微电子研究院有限公司苌凤义获国家专利权
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龙图腾网获悉中科(合肥)微电子研究院有限公司申请的专利半导体器件高频电磁特性与热稳定性协同优化设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120579443B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510697658.0，技术领域涉及：G06F30/27；该发明授权半导体器件高频电磁特性与热稳定性协同优化设计方法是由苌凤义设计研发完成，并于2025-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件高频电磁特性与热稳定性协同优化设计方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件高频电磁特性与热稳定性协同优化设计方法，涉及半导体器件设计技术领域，包括通过在器件网格节点处布置电磁场探测点，建立电磁场能量损耗与温度映射关系，利用多尺度分解网络分析热分布特征，结合递归神经网络预测温度变化趋势，构建材料参数映射关系并优化介电常数和电导率分布，实现了电磁特性与热稳定性的协同优化，有效提高了半导体器件的性能稳定性和可靠性。
本发明授权半导体器件高频电磁特性与热稳定性协同优化设计方法在权利要求书中公布了：1.半导体器件高频电磁特性与热稳定性协同优化设计方法，其特征在于，包括： 在半导体器件的网格节点处布置电磁场探测点，采集电磁场探测点的电场强度和磁场强度，根据电场强度和磁场强度计算网格节点的电磁场能量损耗，采用分段线性插值方法建立电磁场能量损耗与温度的映射关系，根据映射关系将电磁场能量损耗转换为热源功率密度； 将热源功率密度输入多尺度分解网络，获取热量分布特征数据，根据热量分布特征数据确定热点区域的位置信息，建立热点区域的时序温度数据，将时序温度数据输入递归神经网络，得到热点区域的温度变化趋势，根据温度变化趋势生成温度梯度矩阵； 对温度梯度矩阵进行特征分解得到热传导特征，基于热传导特征划分器件区域并建立区域间热传导通道，将热传导通道与温度梯度关联构建材料参数映射关系，通过参数敏感度分析和边界连续性优化生成介电常数分布和电导率分布； 将介电常数分布和电导率分布作为初始参数，对半导体器件的各区域进行材料参数配置，根据配置结果计算新的温度分布，将新的温度分布与预设温度阈值进行比对，当温度分布满足预设阈值要求时，将当前的介电常数分布和电导率分布确定为半导体器件的优化结构参数。
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