浙江芯微泰克半导体有限公司义岚获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江芯微泰克半导体有限公司申请的专利一种基于高光谱成像技术的掺杂元素分布检测方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120629040B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511114099.2，技术领域涉及：G01N21/27；该发明授权一种基于高光谱成像技术的掺杂元素分布检测方法及系统是由义岚;王冲;陈轮兴设计研发完成，并于2025-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于高光谱成像技术的掺杂元素分布检测方法及系统在说明书摘要公布了：本申请涉及一种基于高光谱成像技术的掺杂元素分布检测方法及系统，基于高光谱成像技术的掺杂元素分布检测方法包括步骤：采用不同波长的光照射晶圆背面离子注入区域；通过高光谱成像设备捕捉晶圆背面离子注入区域的掺杂元素的光谱特征数据，所述光谱特征数据包括空间‑光谱立方体数据；及根据所述光谱特征数据并通过光谱匹配法识别掺杂元素的三维分布；并将所述光谱特征数据与光谱强度与掺杂浓度的定量关系模型匹配以获取掺杂元素的掺杂浓度。
本发明授权一种基于高光谱成像技术的掺杂元素分布检测方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种基于高光谱成像技术的掺杂元素分布检测方法，其特征在于，包括步骤： 采用不同波长的光照射晶圆背面离子注入区域；其中，不同波长的光包括波长为300纳米~450纳米的短波长的光以及波长为800纳米~2500纳米的长波长的光； 通过高光谱成像设备捕捉晶圆背面离子注入区域的掺杂元素的光谱特征数据，所述光谱特征数据包括空间-光谱立方体数据； 将所述光谱特征数据与掺杂元素光谱特征库进行比对，以识别掺杂元素的种类和位置； 将所述光谱特征数据输入光谱强度与掺杂浓度的定量关系模型，计算掺杂元素的掺杂浓度； 其中，在“将所述光谱特征数据与掺杂元素光谱特征库进行比对，以识别掺杂元素的种类和位置”的步骤中， 采用不同波长穿透深度差异，针对同一空间位置，提取所述短波长对应的光谱数据以解析浅层掺杂元素分布，提取所述长波长对应的光谱数据以解析深层掺杂元素分布，再通过叠加不同波长层的光谱匹配结果，构建三维深度分布模型；并结合离子掺杂时的注入能量及退火工艺参数，解析掺杂元素的深度分布。
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