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龙图腾网获悉杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请的专利一种低导通电阻的SiC MOSFET终端结构及其制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120640743B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511128233.4，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种低导通电阻的SiC MOSFET终端结构及其制备工艺是由许一力;李鑫;杨琦设计研发完成，并于2025-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低导通电阻的SiC MOSFET终端结构及其制备工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种低导通电阻的SiCMOSFET终端结构，所述的SiCMOSFET终端结构由若干个相互并列的MOS元胞组成，所述MOS元胞包括漏极、半导体外延层、源极、栅极以及栅氧化层，所述半导体外延层从下向上依次包括有N衬底层、N漂移层、P阱层和N阱层，其中单个MOS元胞中P阱层与N阱层的两侧设有P+层，单个所述MOS元胞的半导体外延层中通过离子注入形成有掺杂N‑层，该掺杂N‑层位于P阱层的下方并与该P阱层接触。本发明通过在P阱层下方增设掺杂N‑层形成垂直低阻通路，并结合导通P区破坏栅极电场均匀性，削弱栅极对漏极电荷扩散的抑制，导通电阻较传统结构得到大幅度降低，进而导通电流得到大幅度的提升。

本发明授权一种低导通电阻的SiC MOSFET终端结构及其制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种低导通电阻的SiCMOSFET终端结构，所述的SiCMOSFET终端结构由若干个相互并列的MOS元胞组成，所述MOS元胞包括漏极1、半导体外延层、源极2、栅极3以及栅氧化层4，所述半导体外延层从下向上依次包括有N衬底层5、N漂移层6、P阱层9和N阱层8，其中单个MOS元胞中P阱层9与N阱层8的两侧设有P+层7，其特征在于：单个所述MOS元胞的半导体外延层中通过离子注入形成有掺杂N-层10，该掺杂N-层10位于P阱层9的下方并与该P阱层9接触； 所述栅极3的下方设有导通P区11，该导通P区11的上下两端仅分别与栅极3、N漂移层6接触； 所述N衬底层5还包括有覆盖衬底层53，所述N漂移层6还包括有居中漂移层61，该覆盖衬底层53的顶端与P+层7、P阱层9接触、掺杂N-层10以及居中漂移层61接触； 所述居中漂移层61位于相邻两个掺杂N-层10之间的区域。

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