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龙图腾网获悉苏州大学申请的专利一种掩膜电解加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120644745B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511158582.0，技术领域涉及：B23H5/00；该发明授权一种掩膜电解加工方法是由贺海东;仲旭;吴宝康;乔洁昊;孙立宁设计研发完成，并于2025-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种掩膜电解加工方法在说明书摘要公布了：本发明公开了掩膜加工技术领域的一种掩膜电解加工方法，方法包括：获取表面制备有聚酰亚胺膜的金属工件；根据第一激光直写加工工艺参数对所述聚酰亚胺膜进行图案化处理，获得裸露的金属工件；根据第二激光直写加工工艺参数对所述聚酰亚胺膜的裸露边缘进行二次激光直写加工，在所述聚酰亚胺膜的裸露边缘上能够诱导石墨烯生成的范围内，生成与所述金属工件连接的石墨烯结构；控制所述激光电解平台的激光束运动路径在所述金属工件裸露的区域往复运动，完成加工。本发明能够解决现有掩膜电解加工技术所存在的电场集中效应，造成单元内材料的去除呈“孤岛”状，各向同性的电解腐蚀致使加工定域性降低，导致大深宽比的微结构很难形成的技术问题。

本发明授权一种掩膜电解加工方法在权利要求书中公布了：1.一种掩膜电解加工方法，通过激光电解平台加工，所述激光电解平台上集成有工具电极，所述工具电极与电源负极连接，其特征在于，包括： 获取表面制备有聚酰亚胺膜的金属工件； 根据预设定的第一激光直写加工工艺参数对所述聚酰亚胺膜进行图案化处理，获得裸露的金属工件，所述金属工件裸露的区域与图案化处理的区域对应； 根据预设定的第二激光直写加工工艺参数对所述聚酰亚胺膜的裸露边缘进行二次激光直写加工，在所述聚酰亚胺膜的裸露边缘上能够诱导石墨烯生成的范围内，生成与所述金属工件连接的石墨烯结构，所述金属工件和石墨烯结构均与电源正极连接； 设置所述激光电解平台的激光束运动路径位于所述金属工件裸露的区域内，控制所述激光电解平台的激光束运动路径在所述金属工件裸露的区域往复运动，完成加工； 所述掩膜电解加工方法用于金属工件表面微结构加工，当用于金属工件表面微结构加工时，所述往复运动包括： 根据预设置的激光束运动路径和运动速度，通过运动平台控制工件沿着水平方向进行往复运动； 所述掩膜电解加工方法用于金属工件的镂空结构加工，当用于金属工件的镂空结构加工时，所述往复运动包括： 根据预设置的激光束运动路径和运动速度，通过旋转平台驱动工件绕其自身轴线连续旋转，控制所述激光电解平台上的工具电极沿金属工件的轴线方向往复运动，直至电解加工形成镂空图案为止。

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