天通控股股份有限公司徐秋峰获国家专利权
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龙图腾网获悉天通控股股份有限公司申请的专利一种提高钽酸锂晶片键合强度的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120676849B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511158350.5，技术领域涉及：H10N30/072；该发明授权一种提高钽酸锂晶片键合强度的方法是由徐秋峰;徐耀辉;汪万盾;钱耀锋;张忠伟设计研发完成，并于2025-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提高钽酸锂晶片键合强度的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体及压电材料领域，具体涉及一种提高钽酸锂晶片键合强度的方法，包括以下步骤：a对钽酸锂晶片进行减薄、抛光和清洗；b用弱碱性溶液清洗衬底片后立即进行冷却水浴清洗；c对衬底片进行逐档降温处理后恒温储存；d用等离子体对钽酸锂晶片和衬底片进行表面活化；e对准钽酸锂晶片和衬底片并加压键合，得到键合片；f对键合片进行检验。本发明通过优化钽酸锂晶片减薄和抛光工艺、衬底片低温处理工艺，有效解决了键合时由钽酸锂晶片边缘翘起和表面粗糙、衬底片自身缺陷、以及机能层和衬底层热膨胀系数差异引起的键合不良问题，实现了高强度、高精度和高稳定性键合。
本发明授权一种提高钽酸锂晶片键合强度的方法在权利要求书中公布了：1.一种提高钽酸锂晶片键合强度的方法，其特征在于，包括以下步骤： a对钽酸锂晶片进行加工； b使用弱碱性溶液清洗衬底片，立即进行冷却水浴清洗，其中冷却水浴所用冷却水温度为5±2℃，清洗时间为5±1min； c将衬底片进行逐档降温保存后，8～10℃恒温储存至少30min； d使用等离子体对钽酸锂晶片和衬底片的待键合面进行表面活化处理； e贴合钽酸锂晶片与衬底片的待键合面并对准二者边缘，于键合腔中加压得到键合片； f对键合片进行检验； 其中，所述衬底片的材质为硅。
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