浙江泰峰高压电器有限公司赵海斌获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江泰峰高压电器有限公司申请的专利一种用于柜式互感器的高强度复合绝缘材料及柜式互感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120683466B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511163583.4，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种用于柜式互感器的高强度复合绝缘材料及柜式互感器是由赵海斌;鲍建东;杨德中;赵智杰;陈益强设计研发完成，并于2025-08-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于柜式互感器的高强度复合绝缘材料及柜式互感器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于柜式互感器的高强度复合绝缘材料，包括：在环氧树脂层上沉积的CuAlZraGdb层，其中，a=0.05‑0.1，b=0.03‑0.06；在CuAlZraGdb层上沉积的CuAlFecLad层，其中，c=0.1‑0.15，d=0.02‑0.04；在CuAlFecLad层上沉积的CuAlNieCef层，其中，e=0.05‑0.1，f=0.04‑0.08；在CuAlNieLaf层上沉积的CuAlCogLah层，其中，g=0.1‑0.15，h=0.02‑0.04；以及在CuAlCogLah层上涂覆的聚醚醚酮层。本发明提升了环氧树脂和聚醚醚酮之间的接合力，从而提升了环氧树脂的强度。
本发明授权一种用于柜式互感器的高强度复合绝缘材料及柜式互感器在权利要求书中公布了：1.一种用于柜式互感器的高强度复合绝缘材料，包括： 在环氧树脂层上沉积的CuAlZraGdb层，其中，a=0.05-0.1，b=0.03-0.06； 在所述CuAlZraGdb层上沉积的CuAlFecLad层，其中，c=0.1-0.15，d=0.02-0.04； 在所述CuAlFecLad层上沉积的CuAlNieCef层，其中，e=0.05-0.1，f=0.04-0.08； 在所述CuAlNieCef层上沉积的CuAlCogLah层，其中，g=0.1-0.15，h=0.02-0.04；以及 在所述CuAlCogLah层上涂覆的聚醚醚酮层， 所述CuAlZraGdb层的厚度为30-40nm，所述CuAlFecLad层的厚度为30-40nm，所述CuAlNieCef层的厚度为30-40nm，所述CuAlCogLah层的厚度为30-40nm。
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