买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉江苏芯德半导体科技股份有限公司申请的专利电感存储处理器堆叠封装结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120711747B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511197955.5，技术领域涉及：H10B80/00；该发明授权电感存储处理器堆叠封装结构及其制备方法是由赵玥;张国栋;潘明东;张中;谢雨龙设计研发完成，并于2025-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本电感存储处理器堆叠封装结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电感存储处理器堆叠封装结构及其制备方法，封装结构中的SOC芯片正面具有焊盘和第一电磁线圈，HBM芯片包括存储芯片及在存储芯片背面电性连接多层垂直堆叠的DRAM芯片；存储芯片正面形成导电凸块和第二电磁线圈；SOC芯片贴装在基板正面，SOC芯片正面朝上；HBM芯片叠在SOC芯片正面，第二电磁线圈对应第一电磁线圈位置；电磁感应区域不超过40μm；SOC芯片的焊盘与基板电性连接，HBM芯片的导电凸块与基板电性连接；塑封部塑封基板正面，至少覆盖SOC芯片、HBM芯片以及各电性连接部位。本发明提供了一种具有更高封装密度，提高电性能传输效率的电感存储处理器堆叠封装结构及其制备方法。

本发明授权电感存储处理器堆叠封装结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.电感存储处理器堆叠封装结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： S1、在SOC晶圆正面形成焊盘和第一电磁线圈后，磨划为单颗SOC芯片； S2、在存储芯片正面形成导电凸块和第二电磁线圈，在存储芯片背面电性连接多层垂直堆叠的DRAM芯片，形成HBM芯片；存储芯片和DRAM芯片通过TSV电性连接，导电凸块为C4导电凸块； S3、提供基板，将SOC芯片贴装在基板正面，SOC芯片正面朝上；将HBM芯片叠在SOC芯片正面，第二电磁线圈对应第一电磁线圈位置；第二电磁线圈至第一电磁线圈之间形成电磁感应区域，电磁感应区域不超过40μm；SOC芯片的焊盘与基板电性连接，HBM芯片的导电凸块与基板电性连接； S4、采用塑封料塑封基板正面，塑封料至少覆盖SOC芯片、HBM芯片以及各电性连接部位，形成电感存储处理器堆叠封装结构； 根据上述方法制备的电感存储处理器堆叠封装结构，包括在SOC芯片、HBM芯片、基板和塑封部，所述SOC芯片正面具有焊盘和第一电磁线圈，所述HBM芯片包括存储芯片及在存储芯片背面电性连接多层垂直堆叠的DRAM芯片；所述存储芯片正面形成导电凸块和第二电磁线圈；所述SOC芯片贴装在基板正面，SOC芯片正面朝上；所述HBM芯片叠在SOC芯片正面，第二电磁线圈对应第一电磁线圈位置；电磁感应区域不超过40μm；SOC芯片的焊盘与基板电性连接，HBM芯片的导电凸块与基板电性连接；所述塑封部塑封基板正面，至少覆盖SOC芯片、HBM芯片以及各电性连接部位。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江苏芯德半导体科技股份有限公司，其通讯地址为：210000 江苏省南京市浦口区浦口经济开发区林春路8号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。