达波科技(上海)有限公司李昕获国家专利权
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龙图腾网获悉达波科技(上海)有限公司申请的专利可降低退火热应力的含锑化铟异质晶圆制备方法及产品获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120727560B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511180090.1，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权可降低退火热应力的含锑化铟异质晶圆制备方法及产品是由李昕;薛成龙;柏文文;王含冠;国洪晨;杨朋辉;朱霄;王奇;华千慧设计研发完成，并于2025-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本可降低退火热应力的含锑化铟异质晶圆制备方法及产品在说明书摘要公布了：本申请涉及可降低退火热应力的含锑化铟异质晶圆制备方法及产品，属于含锑化铟异质晶圆制造技术领域。该方法包括：提供供体锑化铟衬底，离子注入形成离子注入层、弱化层和供体衬底余质层；提供载体锑化铟衬底；在载体锑化铟衬底和供体锑化铟衬底表面沉积Al2O3钝化层；在载体锑化铟衬底继续沉积SiO2层；载体锑化铟衬底SiO2层与供体锑化铟衬底Al2O3钝化层键合，≤200℃低温退火10~20h，剥离供体锑化铟衬底；提供SiCSi衬底，离子注入层的剥离面与SiCSi衬底键合；使用BOEDHF腐蚀液湿法腐蚀，获得异质晶圆。
本发明授权可降低退火热应力的含锑化铟异质晶圆制备方法及产品在权利要求书中公布了：1.一种可降低退火热应力的含锑化铟异质晶圆制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤： 1提供供体锑化铟衬底，进行离子注入，所述供体锑化铟衬底形成离子注入层、弱化层和供体衬底余质层； 2提供载体锑化铟衬底，对载体锑化铟衬底和供体锑化铟衬底进行清洗； 3在载体锑化铟衬底和供体锑化铟衬底表面沉积Al2O3钝化层； 4在载体锑化铟衬底上继续沉积SiO2层； 5载体锑化铟衬底的SiO2层与供体锑化铟衬底的Al2O3钝化层进行键合，不高于200℃进行低温退火10h~20h，剥离所述供体锑化铟衬底，所述离子注入层位于所述载体锑化铟衬底上，并对离子注入层的剥离面进行抛光； 6提供SiCSi衬底，离子注入层的剥离面与SiCSi衬底键合； 7对所得衬底使用BOEDHF腐蚀液进行湿法腐蚀，以去除SiO2层，获得SiCSi+InSb+Al2O3钝化层异质复合衬底。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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