深圳平湖实验室王映德获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳平湖实验室申请的专利一种半导体复合衬底的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120727561B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511188592.9，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种半导体复合衬底的制备方法是由王映德;胡浩林;邹兴;许益民;王启璋;王宇辰;马海滨设计研发完成，并于2025-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体复合衬底的制备方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种半导体复合衬底的制备方法，通过对将氢离子注入后的薄膜转移衬底的Si面进行面型处理，在Si面的表面形成的损伤层可以抵消氢离子注入后产生的应力形变，从而得到低翘曲度的薄膜转移衬底，提升后续键合质量，最终可以得到高质量的碳化硅半导体复合衬底。
本发明授权一种半导体复合衬底的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体复合衬底的制备方法，其特征在于，包括： S1：提供薄膜转移衬底和支撑衬底，所述薄膜转移衬底包括相对设置的第一表面和第二表面，所述支撑衬底包括相对设置的第三表面和第四表面； S2：对所述第一表面进行离子注入并形成注入损伤层； S3：对所述第二表面进行面型处理，并对所述薄膜转移衬底进行面型检测，判断弯曲度的绝对值是否小于或等于40μm，以及判断翘曲度是否小于或等于50μm；若是，则执行步骤S4；若所述弯曲度的绝对值大于40μm，则判断所述弯曲度为负值还是正值，若所述弯曲度为负值，则执行步骤S2，若所述弯曲度为正值，则执行步骤S3；若所述翘曲度大于50μm，则执行步骤S3； S4：将所述支撑衬底的第三表面与面型处理后的所述薄膜转移衬底的第一表面进行键合，形成键合衬底； S5：对所述键合衬底进行退火，使所述键合衬底沿所述注入损伤层剥离，得到半导体复合衬底，所述半导体复合衬底包括所述支撑衬底和位于所述支撑衬底的所述第三表面上的薄膜层。
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