上海谙邦半导体设备有限公司向浪获国家专利权
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龙图腾网获悉上海谙邦半导体设备有限公司申请的专利一种气体流场可控的工艺腔体及等离子体处理设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120748997B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511170880.1,技术领域涉及:H01J37/32;该发明授权一种气体流场可控的工艺腔体及等离子体处理设备是由向浪;李可;梁洁;王亮;张翔宇;陈英杰设计研发完成,并于2025-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种气体流场可控的工艺腔体及等离子体处理设备在说明书摘要公布了:本发明涉及半导体制造设备技术领域,尤其涉及一种气体流场可控的工艺腔体及等离子体处理设备,包括腔本体,具有承载晶圆的腔室;进气通道,与所述腔室连通;主抽气通道,设于所述腔本体的底部且与所述腔室连通;所述主抽气通道连接主控制阀;副抽气通道,设于所述腔本体的侧壁且与所述腔室连通;所述主控制阀和所述副控制阀协同工作;控制装置,与所述主控制阀和所述副控制阀通信连接;本发明通过副抽气通道和副控制阀与主抽气通道和主控制阀的协同,以调节所述工艺腔内的流场分布,引导消除晶圆径向上的气体浓度梯度和边缘死区,实现晶圆外圈沟槽或孔侧面角度、表面粗糙度中心区域与边缘区域的一致。
本发明授权一种气体流场可控的工艺腔体及等离子体处理设备在权利要求书中公布了:1.一种气体流场可控的工艺腔体,其特征在于,包括: 腔本体,具有承载晶圆的腔室; 进气通道,设置于所述腔本体的顶部且与所述腔室连通,用于将工艺气体引入所述腔室; 主抽气通道,设于所述腔本体的底部且与所述腔室连通;所述主抽气通道连接主控制阀,用于建立工艺气体在晶圆的轴向上的抽气流场; 副抽气通道,设于所述腔本体的侧壁且与所述腔室连通,且所述副抽气通道的抽气口所在的水平面均位于承载的晶圆的上方,所述副抽气通道连接对应副控制阀,用于建立工艺气体在晶圆的径向上的抽气流场;所述副抽气通道的数量为多个,多个所述副抽气通道的抽气口布置于所述腔本体侧壁呈环状结构; 控制装置,与所述主控制阀和所述副控制阀通信连接,用于控制所述主控制阀和所述副控制阀协同工作,以调节所述工艺腔内的流场分布,引导消除晶圆径向上的气体浓度梯度和边缘死区。
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