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龙图腾网获悉上海谙邦半导体设备有限公司申请的专利等离子体工艺设备及处理方法、控制装置及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120748998B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511248141.X，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权等离子体工艺设备及处理方法、控制装置及存储介质是由沈康;梁洁;王兆祥;涂乐义;桂智谦设计研发完成，并于2025-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本等离子体工艺设备及处理方法、控制装置及存储介质在说明书摘要公布了：本公开提供等离子体工艺设备及处理方法、控制装置及存储介质，该设备包括：腔体、承载装置、过滤装置、进气装置、等离子体激发装置，过滤装置包括第一离子过滤单元和第二离子过滤单元，进气装置包括与等离子体产生区域连通的辅助气体输入组件和与等离子体间接激发区域连通的反应气体输入组件，等离子体激发装置激发进入等离子体产生区域内的辅助气体以形成等离子体，通过第一离子过滤单元过滤掉等离子体中的离子和电子，利用留下的辅助气体激发态原子激发等离子体间接激发区域内反应气体以形成反应气体激发态原子，通过第二离子过滤单元过滤反应气体激发态原子并使其进入反应区域，降低高能粒子的能量与密度，尽可能降低对晶片衬底的损伤。

本发明授权等离子体工艺设备及处理方法、控制装置及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种等离子体工艺设备，其特征在于，包括： 腔体； 承载装置，设于所述腔体底部，用于承载晶片； 过滤装置，包括第一离子过滤单元和第二离子过滤单元，上下间隔设于所述腔体内且位于所述承载装置上方；通过第一离子过滤单元和第二离子过滤单元，将腔体分为等离子体产生区域、等离子体间接激发区域、以及反应区域； 进气装置，包括反应气体输入组件和辅助气体输入组件；所述反应气体输入组件包括反应气体源、反应气体输送管路、反应气体进气阀、以及反应气体进气模块，所述反应气体进气模块与所述等离子体间接激发区域连通，所述辅助气体输入组件包括辅助气体源、辅助气体输送管路、辅助气体进气阀、以及辅助气体进气模块，所述辅助气体进气模块与所述等离子体产生区域连通；以及 等离子体激发装置，设于所述腔体的上部且对应于所述等离子体产生区域，用于激发通过辅助气体进气模块进入等离子体产生区域内的辅助气体以形成等离子体； 其中，所述等离子体由等离子体产生区域朝向等离子体间接激发区域运动的过程中通过所述第一离子过滤单元过滤掉离子和电子后保留辅助气体激发态原子，利用辅助气体激发态原子激发进入所述等离子体间接激发区域的反应气体形成反应气体激发态原子，所述反应气体激发态原子通过所述第二离子过滤单元过滤后自等离子体间接激发区域进入反应区域。

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