江苏芯德半导体科技股份有限公司谢雨龙获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏芯德半导体科技股份有限公司申请的专利一种台阶式金属凸点结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120749031B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511254481.3，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权一种台阶式金属凸点结构的制备方法是由谢雨龙;龙欣江;张中;邵康;徐冬平设计研发完成，并于2025-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种台阶式金属凸点结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种台阶式金属凸点结构的制备方法，该方法是在晶圆第一表面沉积金属种子层；在金属种子层表面经过涂第一层光刻胶、曝光和显影工艺形成第一光阻图形，第一光阻图形的第一开口暴露金属种子层表面；在第一光阻图形的第一开口内第一次电镀形成第一金属结构；去除第一层光刻胶，在金属种子层和第一金属结构的表面经过涂第二层光刻胶、曝光和显影工艺形成第二光阻图形，第二光阻图形的第二开口暴露部分金属种子层表面；通过湿法刻蚀去除暴露的金属种子层后，去除第二层光刻胶，保留的金属种子层和第一金属结构形成了台阶式金属结构。本发明简化了传统多次光刻和电镀的复杂工艺流程，降低了生产成本，减少了环境污染，提高了生产效率。
本发明授权一种台阶式金属凸点结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种台阶式金属凸点结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： S1、提供晶圆，在晶圆第一表面沉积金属种子层； S2、在金属种子层表面经过涂第一层光刻胶、曝光和显影工艺形成第一光阻图形，第一光阻图形的第一开口暴露金属种子层表面； S3、在所述第一光阻图形的第一开口内第一次电镀形成第一金属结构； S4、去除第一层光刻胶，在金属种子层和第一金属结构的表面经过涂第二层光刻胶、曝光和显影工艺形成第二光阻图形，第二光阻图形的第二开口暴露部分金属种子层表面；其中，第二开口与第一金属结构之间存在第二层光刻胶； S5、通过湿法刻蚀去除暴露的金属种子层后，去除第二层光刻胶，保留的金属种子层和第一金属结构形成了台阶式金属结构。
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