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龙图腾网获悉深圳平湖实验室申请的专利一种半导体结构、制作方法及电子器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120749093B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511267960.9，技术领域涉及：H01L23/38；该发明授权一种半导体结构、制作方法及电子器件是由戴颖;戴心玥;范梦绮;王晓萍设计研发完成，并于2025-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体结构、制作方法及电子器件在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体技术领域，公开了一种半导体结构、制作方法及电子器件，该半导体结构包括：衬底、功能层，第一电极、第二电极和第一热电体，第一电极和第二电极设置在功能层背离衬底的一侧，第一热电体设置在衬底中，第一热电体包括沿第一方向排列的第一P型体和第一N型体，第一P型体和第一N型体的延伸方向与衬底表面相交；第一P型体和第一N型体均包括：第一连接部、第二连接部和中间连接部，第一连接部沿第一方向的长度与中间连接部沿第一方向的长度不相等，第二连接部沿第一方向的长度和第一连接部沿第一方向的长度相等，第一热电体的热通量密度变大，温度梯度变大，第一热电体的散热或加热效果更好，提升了对半导体结构的热管理效率。

本发明授权一种半导体结构、制作方法及电子器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底和设于所述衬底之上的功能层，所述功能层包括晶体管； 所述半导体结构还包括热电结构，所述热电结构包括第一电极、第二电极和第一热电体，所述第一电极和所述第二电极分别设置在所述功能层背离所述衬底的一侧，所述第一热电体设置在所述衬底中； 所述第一热电体包括沿第一方向排列的第一P型体和第一N型体，所述第一方向平行于所述衬底表面；所述第一P型体和所述第一N型体的延伸方向与所述衬底表面相交；所述第一P型体和所述第一N型体连接，所述第一P型体还与所述第一电极连接，所述第一N型体还与所述第二电极连接，所述第一P型体和所述第一N型体均包括：第一连接部、第二连接部和中间连接部，所述第一连接部沿所述第一方向的长度与所述中间连接部沿所述第一方向的长度不相等，所述第二连接部沿所述第一方向的长度和所述第一连接部沿所述第一方向的长度相等； 所述热电结构还包括第二热电体，所述第二热电体设置在所述衬底中，所述第二热电体包括沿所述第一方向排列的第二P型体和第二N型体，所述第二P型体和所述第二N型体的延伸方向与所述衬底表面相交；所述第二P型体和所述第二N型体连接，所述第二P型体还与所述第一电极连接，所述第二N型体还与所述第二电极连接，所述第二P型体和所述第二N型体平行于第二方向的截面形状均为长方体，所述第二方向与所述衬底表面垂直； 所述第一热电体和所述第二热电体沿所述第一方向排列，所述第一热电体位于所述衬底的中心区域，所述第二热电体位于所述衬底的边缘区域，或者，所述第一热电体和所述第二热电体均设有多个，各所述第一热电体和各所述第二热电体沿所述第一方向交替排列，所述第一P型体、所述第一N型体、所述第二P型体和所述第二N型体首尾连接于所述第一电极和所述第二电极之间。

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