买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉苏州镓港半导体有限公司申请的专利异质集成结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120758969B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511272743.9，技术领域涉及：C30B25/18；该发明授权异质集成结构及其制备方法是由熊敏;朱杰设计研发完成，并于2025-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本异质集成结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种异质集成结构及其制备方法，异质集成结构包括：衬底，衬底具有相背设置的第一表面和第二表面，第一表面包括间隔设置的第一区域和第二区域；介质层，形成于第一区域的第一表面上；光子晶体层，形成于所述第二区域的第一表面以及所述介质层上，包括多个周期性排列的光子晶体单元；形核层，包括多个位于光子晶体单元表面上的形核单元；外延层，层叠于形核层上方且覆盖第一表面。本发明的光子晶体层具有在近红外波段与更长波长下的特殊光学功能，纳米级的周期结构还可用于弛豫衬底与外延层之间的热失配，减小外延生长后的衬底机械形变。本发明可利用大尺寸硅衬底，将化合物的复合晶圆尺寸拓展到8英寸以上。

本发明授权异质集成结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种异质集成结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底具有相背设置的第一表面和第二表面，所述第一表面包括间隔设置的第一区域和第二区域，所述第二区域的第一表面在第二方向上的宽度小于或等于1000nm，所述第一区域的第一表面在第二方向上的宽度为1μm~50μm，其中，所述第二方向为垂直于[001]晶向的100晶向或110晶向； 介质层，形成于所述第一区域的第一表面上； 光子晶体层，形成于所述第二区域的第一表面以及所述介质层上，具有多个周期性间隔排列的光子晶体单元，所述光子晶体层具有第三表面，所述第三表面与所述第一表面相背设置，所述光子晶体单元自所述第三表面向下延伸设置，位于所述第一区域的第一表面上方的光子晶体单元厚度小于或等于所述第三表面至所述介质层表面之间的距离，位于所述第二区域的第一表面上方的光子晶体单元厚度小于或等于所述第三表面至所述第一表面之间的距离； 形核层，包括多个位于所述光子晶体单元表面上的形核单元； 外延层，层叠于所述形核层上方且覆盖所述第一表面。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州镓港半导体有限公司，其通讯地址为：215600 江苏省苏州市张家港市杨舍镇福新路1202号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。