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龙图腾网获悉成都明夷电子科技股份有限公司申请的专利一种提升DEVM的动态偏置电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120768260B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511284742.6，技术领域涉及：H03F1/30；该发明授权一种提升DEVM的动态偏置电路是由张曳;龚海波;杨容;姚静石设计研发完成，并于2025-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提升DEVM的动态偏置电路在说明书摘要公布了：本发明涉及无线通信技术领域，具体地说，涉及一种提升DEVM的动态偏置电路；利用BiCMOS的高集度，为输出级动态偏置电路提供随HBT结温变化的基准电压VREF。当放大器工作在长数据包传输模式时，HBT的结温变高，放大器的功率增益开始下降，电压源偏置电路PTAT检测到温度上升，基准电压VREF将会变大，补偿了增益的下降。在整个长数据包传输期间增益将保持稳定，从而优化了DEVM的性能。

本发明授权一种提升DEVM的动态偏置电路在权利要求书中公布了：1.一种提升DEVM的动态偏置电路，与输出级动态偏置电路连接；其特征在于，包括上电启动单元、带隙基准电压单元、高温补偿单元； 所述上电启动单元的输入端与电源连接，输出端与所述带隙基准电压单元的输入端连接； 所述高温补偿单元的输入端与所述带隙基准电压单元的输出端连接，所述高温补偿单元的输出端与输出级动态偏置电路连接； 所述上电启动单元，用于根据构建的自偏置电流源，生成激励信号，并根据激励信号生成第一电压，完成上电启动； 所述带隙基准电压单元，用于根据第一电压，生成与温度呈线性相关的第二电压； 所述高温补偿单元，用于根据第二电压生成随温度升高而增大的基准电压； 所述上电启动单元包括晶体管Qs1、晶体管Qs2、MOS管J1、晶体管Qs3； 所述MOS管J1的栅极和源极连接，所述MOS管J1的源极与晶体管Qs2的集电极连接，所述MOS管J1的漏极电源VDD连接； 所述晶体管Qs2的基极与所述带隙基准电压单元的输入端、晶体管Qs2的集电极连接，所述晶体管Qs2的发射极与所述晶体管Qs1的集电极连接； 所述晶体管Qs1的基极与所述晶体管Qs1的集电极连接，所述晶体管Qs1的发射极与电源VSS连接； 所述晶体管Qs3的基极搭接在MOS管J1的源极与晶体管Qs2的集电极之间，所述晶体管Qs3的集电极与电源VDD连接，所述晶体管Qs3的发射极与带隙基准电压单元的输入端连接； 所述带隙基准电压单元包括带隙基准结构、电流镜单元； 所述带隙基准结构包括晶体管Q1、晶体管Q2、电阻R8、电阻R9； 所述晶体管Q1的集电极与电流镜单元连接，所述晶体管Q1的发射极与电阻R8连接，所述晶体管Q1的基极与晶体管Qs3的发射极、晶体管Q2的基极连接； 所述晶体管Q2的集电极与电流镜单元连接，所述晶体管Q2的发射极搭接在电阻R8与电阻R9之间； 所述电阻R9与电源VSS连接。

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