北京科技大学庄媛获国家专利权
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龙图腾网获悉北京科技大学申请的专利一种金刚石薄膜及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120776448B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511286009.8，技术领域涉及：C30B25/18；该发明授权一种金刚石薄膜及其制备方法和应用是由庄媛;郭丽芳;游雅芬;卢心蕊设计研发完成，并于2025-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种金刚石薄膜及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：一种金刚石薄膜及其制备方法和应用，所述制备方法包括：采用与金刚石薄膜材料的晶格常数匹配的衬底材料作为衬底，并对衬底进行表面处理；通入包括80%‑95%氢气、3%‑8%甲烷及2%‑12%辅助气体的混合反应气体，其中辅助气体包括氩气、氯气、氟化氢和氯化氢中的至少一种；在850℃‑1000℃和不小于21kPa的压强下进行受控化学气相沉积，在衬底表面生长金刚石薄膜；将金刚石薄膜退火处理。本发明利用辅助气体协同及温压梯度控制化学气相沉积，实现高纯度单晶金刚石薄膜的无腐蚀高速生长；结合动态退火工艺，有效修复晶格缺陷、优化综合性能，显著提升薄膜作为散热部件等应用中的可靠性。
本发明授权一种金刚石薄膜及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、采用与金刚石薄膜材料的晶格常数匹配的衬底材料作为衬底，并对衬底进行表面处理； S2、以体积百分比计，通入包括80%-95%氢气、3%-8%甲烷及2%-12%辅助气体的混合反应气体；所述辅助气体包括氩气、氯气、氟化氢和氯化氢中的至少一种； S3、在850℃-1000℃和不小于21kPa的压强下进行受控化学气相沉积，在衬底表面生长金刚石薄膜； S4、将金刚石薄膜进行退火处理； 其中，步骤S3的所述受控化学气相沉积包括： 1高温预生长：在预生长温度T0为950℃-1000℃下进行高温预生长，保持腔室压强P0≥25kPa，高温预生长持续时间为受控化学气相沉积总时间的25%-55%； 2降温沉积：将温度由预生长温度T0逐步降低至结束温度T1进行沉积，结束温度T1为T0-100℃至T0-50℃，保持腔室压强P1≥P0-3kPa。
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