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龙图腾网获悉南京第三代半导体技术创新中心有限公司;中国电子科技集团公司第五十五研究所;南京第三代半导体技术创新中心申请的专利短路耐量加固的碳化硅功率开关器件结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120786932B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511174234.2，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权短路耐量加固的碳化硅功率开关器件结构及其制造方法是由应贤炜;陈谷然;张跃;黄昱;部桐;张腾;杨晓磊;李士颜;杨勇;柏松;黄润华设计研发完成，并于2025-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本短路耐量加固的碳化硅功率开关器件结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种短路耐量加固的碳化硅功率开关器件结构及其制造方法，结构包括：位于第一导电类型外延层中的不连通的第二导电类型阱区；相邻第二导电类型阱区之间的第一导电类型外延层作为第一导电类型JFET区；位于第二导电类型阱区之中的第一导电类型源区；第一导电类型源区在器件的纵深方向为间隔排布，相邻第一导电类型源区在纵深方向之间的距离为S1，S1≥1um；位于第一导电类型源区与第一导电类型JFET区之间的第二导电类型沟道区；第一导电类型源区与第二导电类型沟道区毗邻，第二导电类型沟道区与第一导电类型JFET区毗邻；本发明在提升半导体功率开关器件短路耐受时间的同时，提升器件在系统发生短路时的可靠性。

本发明授权短路耐量加固的碳化硅功率开关器件结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种短路耐量加固的碳化硅功率开关器件结构，其特征在于，包括： 漏极金属电极； 位于漏极金属电极之上的第一导电类型衬底；位于第一导电类型衬底上的第一导电类型外延层； 位于第一导电类型外延层中的不连通的第二导电类型阱区；相邻第二导电类型阱区之间的第一导电类型外延层作为第一导电类型JFET区； 位于第二导电类型阱区之中的第一导电类型源区；第一导电类型源区在器件的纵深方向为间隔排布，相邻第一导电类型源区在纵深方向之间的距离为S1，S1≥1um； 位于第一导电类型源区与第一导电类型JFET区之间的第二导电类型沟道区；第一导电类型源区与第二导电类型沟道区毗邻，第二导电类型沟道区与第一导电类型JFET区毗邻； 位于第二导电类型阱区之中，且与第一导电类型源区毗邻的第二导电类型源区； 位于第一导电类型JFET区、第二导电类型沟道区和部分第一导电类型源区之上的栅介质层； 位于栅介质层之上的第一导电类型栅极； 位于栅介质层两侧和第一导电类型栅极两侧及之上的钝化介质层； 位于钝化介质层侧壁、部分第二导电类型源区之上的源极金属电极； 位于钝化介质层侧壁、部分第一导电类型栅极之上的栅极金属电极。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南京第三代半导体技术创新中心有限公司;中国电子科技集团公司第五十五研究所;南京第三代半导体技术创新中心，其通讯地址为：211111 江苏省南京市江宁经济技术开发区秣周东路9号无线谷综合楼8408、8409室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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