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龙图腾网获悉恒泰柯半导体(上海)有限公司申请的专利减少二极管反向漏电流的方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120805825B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511269684.X，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权减少二极管反向漏电流的方法及系统是由罗志云;潘梦渝;王飞设计研发完成，并于2025-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本减少二极管反向漏电流的方法及系统在说明书摘要公布了：本发明提供了一种减少二极管反向漏电流的方法及系统，通过将电极末端设计为多级阶梯结构，延长电势变化的物理路径，使电场梯度分布更为平缓；同时在主电极外围设置电隔离的环形辅助电极，并施加中间电势，引入横向电场分量，与纵向电场叠加后重构边缘电场分布；该方法在不改变半导体材料与掺杂工艺的前提下，从电极结构与电势配置两个维度协同优化电场分布；阶梯结构使电极末端的几何轮廓逐步过渡，避免电势突变，显著降低局部电场峰值；环形辅助电极产生的横向电场引导电场线向外扩散，减少向半导体内部集中的密度，二者结合，使边缘区域的合成电场强度整体下降，最大场强点得到有效抑制。

本发明授权减少二极管反向漏电流的方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种减少二极管反向漏电流的方法，其特征在于，包括以下步骤： 设定二极管的P区与N区的几何尺寸，定义横向长度与PN结位置，为后续电势分布分析提供空间基准； 基于所述几何尺寸并结合P区与N区的净掺杂浓度，计算内建电势，并施加反向偏置电压，形成总外加电势差，作为电极边界条件输入； 依据所述总外加电势差，在P区顶部覆盖接地的金属电极A，在N区底部覆盖施加反向偏置电压的金属电极B，构建电极边缘与半导体边缘对齐的矩形电极结构； 基于所述矩形电极结构，在耗尽层近似下求解泊松方程，计算电势分布，并推导电场强度，识别电极边缘区域的高场强集中点； 针对所述高场强集中点，将原矩形电极末端修改为多级阶梯结构，总延伸长度由台阶数量与单级宽度决定，以延长电势变化路径并降低局部电场梯度； 在阶梯式主电极外围设置环形辅助电极，其内边界与主电极边缘预留间距，环形结构宽度固定，电极与主电极电隔离，电势设定为介于主电极电势与地电势之间的中间电势，用于调控边缘电场分布； 基于环形辅助电极引入的电场调控作用，通过调整台阶数量、单级宽度、环形电极与主电极之间的距离以及中间电势相对于反向偏置电压的比例，使边缘区域的电场强度低于材料击穿所对应的场强阈值。

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