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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利一种碳化硅MOSFET栅氧健康状态实时监测电路和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120820832B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511324147.0，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种碳化硅MOSFET栅氧健康状态实时监测电路和方法是由谭琨;谢海洋;唐曦;曹文平;胡存刚设计研发完成，并于2025-09-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅MOSFET栅氧健康状态实时监测电路和方法在说明书摘要公布了：本发明涉及碳化硅MOSFET器件的健康管理的技术领域，特别是涉及一种碳化硅MOSFET栅氧健康状态实时监测电路和方法。所述碳化硅MOSFET栅氧健康状态实时监测电路包括微分电路、信号处理单元和监测输出单元，在碳化硅MOSFET开通阶段的第一个所述电压尖峰信号持续时同步输出第一特定监测信号，在碳化硅MOSFET关断阶段的第二个所述电压尖峰信号持续时同步输出第二特定监测信号，第一特定监测信号的持续时间和第二特定监测信号的持续时间用于反映碳化硅MOSFET的栅氧健康状态。本发明能够有效提高分辨率，并且只采集栅极信号，不需要改变驱动电阻等器件原有工作状态，保持了监测电路的实时在线信号采集和低侵入性，易于将该栅氧健康状态监测电路与驱动电路集成。

本发明授权一种碳化硅MOSFET栅氧健康状态实时监测电路和方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅MOSFET栅氧健康状态实时监测电路，其特征在于，包括： 微分电路，与碳化硅MOSFET的栅极连接，用于在碳化硅MOSFET开通阶段检测栅极电压信号并将所述栅极电压信号转变为两个电压尖峰信号，或者在碳化硅MOSFET关断阶段检测栅极电压信号并将所述栅极电压信号转变为两个电压尖峰信号； 信号处理单元，与所述微分电路的输出端连接，连接有用于与所述电压尖峰信号进行比较的参考电压，用于根据比较结果输出反映两个所述电压尖峰信号的持续时间的比较信号； 监测输出单元，与所述信号处理单元连接，以接收所述比较信号，并在碳化硅MOSFET开通阶段的第一个所述电压尖峰信号持续时同步输出第一特定监测信号，所述第一特定监测信号的持续时间即为碳化硅MOSFET开通阶段开通时刻至米勒平台开始时刻之间的时间差；或者，在碳化硅MOSFET关断阶段的第二个所述电压尖峰信号持续时同步输出第二特定监测信号，所述第二特定监测信号的持续时间即为碳化硅MOSFET关断阶段米勒平台结束时刻至完全关断时刻之间的时间差； 碳化硅MOSFET开通阶段开通时刻至米勒平台开始时刻之间的时间差和或碳化硅MOSFET关断阶段米勒平台结束时刻至完全关断时刻之间的时间差用于反映碳化硅MOSFET的栅氧健康状态。

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