拓荆科技股份有限公司张闯闯获国家专利权
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龙图腾网获悉拓荆科技股份有限公司申请的专利晶圆旋转机构和半导体器件的工艺设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223548092U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422698141.7，技术领域涉及：C23C16/458；该实用新型晶圆旋转机构和半导体器件的工艺设备是由张闯闯;吴凤丽;董礼;王前程;梁彬彬;高鑫洲设计研发完成，并于2024-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶圆旋转机构和半导体器件的工艺设备在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种晶圆旋转机构和半导体器件的工艺设备。晶圆旋转机构包括：副腔，位于主反应腔的一侧，并连通主反应腔；旋转承托组件，位于副腔的内部；以及控制器，被配置为：响应于主反应腔内的晶圆表面完成第一层薄膜沉积，将晶圆从加热盘上顶起；将旋转承托组件送入主反应腔内的晶圆的下方；将晶圆下落到旋转承托组件上，进行晶圆旋转；响应于晶圆完成旋转，将晶圆从旋转承托组件上顶起；将旋转承托组件移出主反应腔；以及将旋转后的晶圆下落回加热盘上，进行第二层薄膜沉积。本实用新型能够避免晶圆因借助外部的传输单元而移出反应腔所导致的工艺污染的风险，同时还能提升叠层沉积工艺中膜厚的均一性，从而精准控制膜厚。
本实用新型晶圆旋转机构和半导体器件的工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种晶圆旋转机构，其特征在于，包括： 副腔，位于主反应腔的一侧，并连通所述主反应腔； 旋转承托组件，位于所述副腔的内部；以及 控制器，被配置为：响应于所述主反应腔内的晶圆表面完成第一层薄膜沉积，将所述晶圆从加热盘上顶起；将所述旋转承托组件送入所述主反应腔内的所述晶圆的下方；将所述晶圆下落到所述旋转承托组件上，进行晶圆旋转；响应于所述晶圆完成旋转，将所述晶圆从所述旋转承托组件上顶起；将所述旋转承托组件移出所述主反应腔；以及将旋转后的晶圆下落回所述加热盘上，进行第二层薄膜沉积。
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