苏州清煜半导体科技有限公司杨倩倩获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州清煜半导体科技有限公司申请的专利电阻加热LPE法生长单晶用引入主导强制对流的装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223548162U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423242811.0，技术领域涉及：C30B19/00；该实用新型电阻加热LPE法生长单晶用引入主导强制对流的装置是由杨倩倩;苏奕霖;况家仪设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本电阻加热LPE法生长单晶用引入主导强制对流的装置在说明书摘要公布了：本实用新型涉及液相外延法制备单晶技术领域，具体涉及一种电阻加热LPE法生长单晶用引入主导强制对流的装置，包括石墨坩埚，设置在石墨坩埚外侧的石墨加热组件，一端延伸到石墨坩埚内并与石墨籽晶托相连接的石墨籽晶杆以及粘接在石墨籽晶托底面的籽晶；还包括设置在石墨坩埚内的石墨环形涡扇；所述石墨环形涡扇通过顶丝夹具与所述石墨籽晶杆相连接；所述石墨籽晶杆的另一端外接籽晶提拉旋转机构；所述石墨籽晶杆带动所述籽晶和所述石墨环形涡扇做升降、旋转运动。该装置削弱不利对流对整体流场产生的影响，能够使整体流场可控性得到提高；同时确保生长腔内具有生长高质量碳化硅晶体的理想温度场。
本实用新型电阻加热LPE法生长单晶用引入主导强制对流的装置在权利要求书中公布了：1.一种电阻加热LPE法生长单晶用引入主导强制对流的装置，包括石墨坩埚1，设置在石墨坩埚1外侧的石墨加热组件2，一端延伸到石墨坩埚1内并与石墨籽晶托4相连接的石墨籽晶杆3以及粘接在石墨籽晶托4底面的籽晶5；其特征在于，还包括设置在石墨坩埚1内的石墨环形涡扇6；所述石墨环形涡扇6通过顶丝夹具7与所述石墨籽晶杆3相连接；所述石墨籽晶杆3的另一端外接籽晶提拉旋转机构；所述石墨籽晶杆3带动所述籽晶5和所述石墨环形涡扇6做升降、旋转运动。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州清煜半导体科技有限公司，其通讯地址为：215127 江苏省苏州市吴中区甪直镇东方大道268号中科半导体产业社区A幢10层1004-4室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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