珅斯电子(上海)有限公司顾健获国家专利权
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龙图腾网获悉珅斯电子(上海)有限公司申请的专利可增加爬电距离的电流传感器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223551787U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422704904.4，技术领域涉及：G01R19/00；该实用新型可增加爬电距离的电流传感器是由顾健;王博文设计研发完成，并于2024-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本可增加爬电距离的电流传感器在说明书摘要公布了：本申请公开可增加爬电距离的电流传感器，其中所述可增加爬电距离的电流传感器包括安装主体、磁芯、霍尔芯片和至少一对阻碍块，所述安装主体包括壳体，所述壳体沿厚度方向贯穿形成用以贯穿通电铜排的所述穿越通孔，所述磁芯被设置于所述壳体，且位于所述穿越通孔延伸方向上的外周，所述磁芯形成用于设置所述霍尔芯片的气缝空间，一对所述阻碍块以相对的方式被设置于所述壳体，一对所述阻碍块分别位于所述壳体厚度方向上的两端部，且分别靠近所述霍尔芯片，以在所述通电铜排从所述穿越通孔内壁的边缘沿所述壳体向所述霍尔芯片爬电时，通过所述阻碍块的阻挡以增加爬电距离，同时避免占用过多空间。
本实用新型可增加爬电距离的电流传感器在权利要求书中公布了：1.可增加爬电距离的电流传感器，其特征在于，所述可增加爬电距离的电流传感器包括： 安装主体，所述安装主体包括壳体，所述壳体形成穿越通孔，所述壳体沿厚度方向贯穿形成所述穿越通孔，所述穿越通孔用以贯穿通电铜排， 磁芯，所述磁芯被设置于所述壳体，所述磁芯被设置位于所述穿越通孔延伸方向上的外周，且所述磁芯形成气缝空间； 霍尔芯片，所述霍尔芯片被部分设置于所述气缝空间；和 至少一对阻碍块，所述阻碍块包括阻碍部，一对所述阻碍块的一对所述阻碍部以相对的方式被设置于所述壳体，一对所述阻碍部分别位于所述壳体厚度方向上的两端部，且一对所述阻碍部分别靠近所述霍尔芯片。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人珅斯电子(上海)有限公司，其通讯地址为：201806 上海市嘉定区银龙路258弄19号5层A区、B区；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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