台湾积体电路制造股份有限公司连于仁获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置及半导体设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223552532U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422647981.0，技术领域涉及：H01L23/473；该实用新型半导体装置及半导体设备是由连于仁;余振华;谢政杰;余国宠;郭鸿毅;沈科翰设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及半导体设备在说明书摘要公布了：一种半导体装置及半导体设备。半导体装置包括第一半导体装置、整合冷却结构、第二半导体装置及多个基板导通孔。第一半导体装置包括第一互连结构。整合冷却结构接合到第一互连结构，其中整合冷却结构被配置为用于让工作流体进入及离开整合冷却结构。第二半导体装置包括第二互连结构，第二半导体装置相对于第一互连结构接合到整合冷却结构。多个基板导通孔延伸穿过整合冷却结构，其中基板导通孔使第一半导体装置电性耦合到第二半导体装置。
本实用新型半导体装置及半导体设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 一第一半导体装置，该第一半导体装置包括一第一互连结构； 一整合冷却结构，接合到该第一互连结构，其中该整合冷却结构被配置为用于让一工作流体进入及离开该整合冷却结构； 一第二半导体装置，包括一第二互连结构，该第二半导体装置相对于该第一互连结构接合到该整合冷却结构；以及 多个基板导通孔，延伸穿过该整合冷却结构，其中多个所述基板导通孔使该第一半导体装置电性耦合到该第二半导体装置。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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