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深圳市斯迈得半导体有限公司蔡广明获国家专利权

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龙图腾网获悉深圳市斯迈得半导体有限公司申请的专利一种AC线性抗浪涌耐高压模组获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223553046U

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422886683.7,技术领域涉及:H02H9/04;该实用新型一种AC线性抗浪涌耐高压模组是由蔡广明;李俊东;蔡亚威;李绍军;高宇辰设计研发完成,并于2024-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。

一种AC线性抗浪涌耐高压模组在说明书摘要公布了:本实用新型公开一种AC线性抗浪涌耐高压模组,通过增加绝缘介质层的厚度来提高共模浪涌的应受力,在绝缘介质层的厚度为360um以上时,耐共模浪涌应受力可达到4KV以上。使得模组在面对高共模浪涌电压时,PCB板不易被击穿,有效避免了因浪涌电压击穿而导致的电路故障。通过采用压敏电阻VR1‑VR4和绕线电阻RT1‑RT4组成四级防护电路来逐级降低差模浪涌电压,使最终到达后端电路的电压在安全范围内,从而保护后端电路免受高差模浪涌电压的损害,提高模组的耐差模浪涌应受力,使其耐差模浪涌应受力高达6KV以上。本申请有效提高了AC线性模组的抗浪涌耐高压应受力。

本实用新型一种AC线性抗浪涌耐高压模组在权利要求书中公布了:1.一种AC线性抗浪涌耐高压模组,通过雷击浪涌发生器模拟高压浪涌冲击来测试模组的浪涌应受力,其特征在于,包括PCB板、压敏电阻VR,所述PCB板包括依次连接的阻焊层、线路层、绝缘介质层、铝材层,所述绝缘介质层厚度大于360um,所述雷击浪涌发生器的火线接口端L1与阻焊层的火线接口端L连接,所述雷击浪涌发生器的零线接口端N1与阻焊层的零线接口端N连接,所述雷击浪涌发生器的地线接口端G1与铝材层的地线接口端G连接; 同时,所述雷击浪涌发生器的火线接口端L1与压敏电阻VR的第一引脚连接,所述压敏电阻VR的第二引脚与所述雷击浪涌发生器的零线接口端N1,所述压敏电阻VR与负载连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人深圳市斯迈得半导体有限公司,其通讯地址为:518000 广东省深圳市宝安区石岩街道塘头社区石岩街道松白路中运泰科技工业厂区厂房6栋八层九层;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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