中芯集成电路(宁波)有限公司赵林泽获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中芯集成电路(宁波)有限公司申请的专利一种半导体器件结构和滤波器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223553305U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423121903.3，技术领域涉及：H03H9/46；该实用新型一种半导体器件结构和滤波器是由赵林泽;孙慧敏设计研发完成，并于2024-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件结构和滤波器在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种半导体器件结构和滤波器，其中，半导体器件结构包括：基底，在基底上包括设置金属电极的Bump区和与Bump区连接的其他区域的非Bump区；设置于基底一侧的层叠膜，层叠膜自下而上依次包括高声阻层、低声阻层和压电薄膜，压电薄膜覆盖位于非Bump区的部分低声阻层；布线电极，布线电极覆盖位于Bump区的至少部分低声阻层，且延伸至压电薄膜远离基底的一侧并覆盖部分压电薄膜。通过将布线电极覆盖位于Bump区的部分低声阻层，且延伸至压电薄膜远离基底的一侧并覆盖部分压电薄膜，既可以使布线电极与低声阻层直接接触，增强结合力，解决制备过程中布线电极与绝缘层出现分层的问题，又可以避免布线电极与基底结合时出现部分漏电的情况。
本实用新型一种半导体器件结构和滤波器在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件结构，其特征在于，所述半导体器件结构包括： 基底，在所述基底上包括设置金属电极的Bump区和与所述Bump区连接的其他区域的非Bump区； 设置于所述基底一侧的层叠膜，所述层叠膜自下而上依次包括高声阻层、低声阻层和压电薄膜，所述压电薄膜覆盖位于非Bump区的部分所述低声阻层； 布线电极，所述布线电极覆盖位于Bump区的至少部分所述低声阻层，且延伸至所述压电薄膜远离所述基底的一侧并覆盖部分所述压电薄膜。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯集成电路(宁波)有限公司，其通讯地址为：315000 浙江省宁波市小港街道安居路335号3幢、4幢、5幢；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励