台湾积体电路制造股份有限公司陈佑昇获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利概率位结构及磁隧道结结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223553678U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422770741.X，技术领域涉及：H10B61/00；该实用新型概率位结构及磁隧道结结构是由陈佑昇;陈逸轩;陈坤意;王怡情;黄国钦设计研发完成，并于2024-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本概率位结构及磁隧道结结构在说明书摘要公布了：本实用新型涉及概率位结构及磁隧道结结构。概率位结构包括：晶体管；磁隧道结MTJ，其通过底部电极垂直互连通道BEVA与所述晶体管可操作地连接以形成磁阻随机存取存储器MRAM；及加热器，其包含包围所述MTJ或所述BEVA的至少一个导电回路。在一种情况下，概率位包括MTJ结构，所述MTJ结构包含：MTJ单元，其包括安置于自由层与固定层之间的绝缘层；顶部电极垂直互连通道TEVA，其连接到所述MTJ单元；BEVA，其连接到所述MTJ单元；及加热器，其安置于第一金属间电介质IMD区与所述TEVA之间。当将电压或电流施加到金属化层第一及第二接触件时，所述加热器加热所述MTJ结构，且所述加热器经塑形为正方形、矩形、圆形及椭圆形中的一者。
本实用新型概率位结构及磁隧道结结构在权利要求书中公布了：1.一种概率位结构，其特征在于其包含： 晶体管； 磁隧道结MTJ，其通过底部电极垂直互连通道BEVA与所述晶体管可操作地连接以形成磁阻随机存取存储器MRAM；及 加热器，其包含包围所述MTJ或所述BEVA的至少一个导电回路。
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