珠海镓未来科技有限公司高吴昊获国家专利权
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龙图腾网获悉珠海镓未来科技有限公司申请的专利一种具有等电位电极结构的半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223553679U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422739578.0，技术领域涉及：H10D30/47；该实用新型一种具有等电位电极结构的半导体器件是由高吴昊;吴毅锋;曾凡明设计研发完成，并于2024-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有等电位电极结构的半导体器件在说明书摘要公布了：本实用新型实施例公开了一种具有等电位电极结构的半导体器件，应用于电子器件技术领域。半导体器件主要是在外延结构的有源区外围设置隔离区，并在设置有源区的电极时，将有源区最上端和最下端的源极设置为相等电位的电极，且相邻的源极为不等电位的电极，而在隔离区设置有至少一圈金属环结构和至少一个离子注入区域，这样通过金属环结构及离子注入区域可以将有源区内的源极得到有效地可靠性提升，从而实现了半导体器件的高可靠性。且金属环结构的电位、衬底与有源区最上端或最下端的源极的电位相同或近似相等，可以减少电化学腐蚀，这样也可以完全消除金属环结构内外的电位差获得高可靠性。
本实用新型一种具有等电位电极结构的半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种具有等电位电极结构的半导体器件，其特征在于，包括：外延结构，所述外延结构设置于衬底上，所述外延结构包括有源区和有源区外围的隔离区，其中： 所述有源区包括所述半导体器件的多个源极及所述源极对应的栅极，所述有源区最上端的源极与最下端的源极为相等电位的电极，且相邻的源极为不等电位的电极； 所述隔离区将所述有源区内的电极包围，包括至少一圈离子注入区域和至少一圈金属环结构，所述金属环结构与所述离子注入区域间隔地设置于所述隔离区，且距离所述有源区的电极最近的是一圈离子注入区域； 所述金属环结构的电位、所述衬底、与所述有源区最上端或最下端的源极的电位相同或近似相等。
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