合肥晶合集成电路股份有限公司姜涛获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223553680U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423036797.9，技术领域涉及：H10D30/65；该实用新型一种半导体器件是由姜涛;李宜政;康绍磊设计研发完成，并于2024-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种半导体器件，属于半导体领域，所述半导体器件至少包括：衬底；阱区，设置在所述衬底内；两个漂移区，间隔设置在所述阱区内，且所述漂移区内设置浅沟槽隔离结构；体区，设置在两个所述漂移区之间的所述阱区内；垂直栅极，位于所述体区内，且所述垂直栅极由所述衬底的表面向所述阱区内延伸；源掺杂区，分别设置在所述垂直栅极两侧的所述体区内；漏掺杂区，设置在所述漂移区内；以及平面栅极，环绕设置在所述垂直栅极和所述源掺杂区的四周，并覆盖部分所述体区、部分所述阱区和部分所述浅沟槽隔离结构。通过本实用新型提供的半导体器件，可以在不改变击穿电压的情况下，降低特征导通电阻，提高半导体器件的性能。
本实用新型一种半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，至少包括： 衬底； 阱区，设置在所述衬底内； 两个漂移区，间隔设置在所述阱区内，且所述漂移区内设置浅沟槽隔离结构； 体区，设置在两个所述漂移区之间的所述阱区内； 垂直栅极，位于所述体区内，且所述垂直栅极由所述衬底的表面向所述阱区内延伸； 源掺杂区，分别设置在所述垂直栅极两侧的所述体区内； 漏掺杂区，设置在所述漂移区内；以及 平面栅极，环绕设置在所述垂直栅极和所述源掺杂区的四周，并覆盖部分所述体区、部分所述阱区和部分所述浅沟槽隔离结构。
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