泰科天润半导体科技(北京)有限公司周海获国家专利权
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龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种超结快恢复平面栅碳化硅VDMOS获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223553681U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422824642.5，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型一种超结快恢复平面栅碳化硅VDMOS是由周海;施广彦;胡臻;何佳设计研发完成，并于2024-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超结快恢复平面栅碳化硅VDMOS在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种超结快恢复平面栅碳化硅VDMOS，包括：漂移层下侧面连接至碳化硅衬底；扩散区设于漂移层内，且贯穿漂移层，扩散区下侧面连接至碳化硅衬底上侧面，扩散区上设有N型源区；续流区设于漂移层内，且贯穿漂移层，续流区下侧面连接至碳化硅衬底上侧面；栅介质层下侧面分别连接漂移层、续流区以及扩散区；栅极金属层连接至栅介质层；源极金属层下侧面连接漂移层、扩散区以及N型源区；漏极金属层连接至碳化硅衬底，在器件内部构建了扩散区和均流区构建的超结结构，可以在固定厚度和面积条件下有效提高器件的耐压能力，构建了肖特基二极管，可以有效降低器件的反向恢复时间，实现快恢复。
本实用新型一种超结快恢复平面栅碳化硅VDMOS在权利要求书中公布了：1.一种超结快恢复平面栅碳化硅VDMOS，其特征在于：包括： 碳化硅衬底， 漂移层，所述漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底； 扩散区，所述扩散区设于所述漂移层内，且贯穿所述漂移层，所述扩散区下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面，所述扩散区上设有N型源区； 续流区，所述续流区设于所述漂移层内，且贯穿所述漂移层，所述续流区下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面； 栅介质层，所述栅介质层下侧面分别连接所述漂移层、续流区以及扩散区； 栅极金属层，所述栅极金属层连接至所述栅介质层； 源极金属层，所述源极金属层下侧面连接所述漂移层、扩散区以及N型源区； 以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底。
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