厦门未来显示技术研究院有限公司段其涛获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门未来显示技术研究院有限公司申请的专利一种具有叠层的Micro-LED芯片获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223553694U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-14发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422300945.7，技术领域涉及：H10H20/813；该实用新型一种具有叠层的Micro-LED芯片是由段其涛;王乐;冯妍雪;江晟权;柯志杰设计研发完成，并于2024-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有叠层的Micro-LED芯片在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种具有叠层的Micro‑LED芯片，利用呈阶梯状的叠层技术，使所有的P型半导体层在相应的阶梯面各自具有电极接入区域，可在实现第一发光结构、第二发光结构以及第三发光结构的独立驱动的基础上，可最大限度地节省晶圆面积实现全彩化，降低生产成本；同时结合所述第一发光结构的P型半导体层和所述第二发光结构的P型半导体层通过绝缘键合层进行键合的设置，如此可避免聚合物粘合剂在键合所述第一发光结构和第二发光结构过程中所出现的因键合厚度不均匀而导致的刻蚀不净现象。
本实用新型一种具有叠层的Micro-LED芯片在权利要求书中公布了：1.一种具有叠层的Micro-LED芯片，其特征在于，包括： 衬底； 叠层结构，所述叠层结构包括在所述衬底表面依次层叠设置的第一发光结构、第二发光结构以及第三发光结构，且所述叠层结构呈阶梯状； 绝缘层，其设置于所述叠层结构的侧壁； 第二反射结构，其设置于所述叠层结构的表面； 其中，所述第一发光结构、第二发光结构、第三发光结构分别包括N型半导体层、有源层以及P型半导体层，所有的N型半导体层通过电极连接层经所述绝缘层的表面连接相应的阶梯面的方式形成相互连接，且所有的P型半导体层在相应的阶梯面各自具有电极接入区域； 所述第一发光结构的P型半导体层和所述第二发光结构的P型半导体层通过绝缘键合层进行键合。
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