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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利图像传感器以及制造图像传感器的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112018167B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010083771.7，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权图像传感器以及制造图像传感器的方法是由金昶和;金宽植;金东灿;朴商秀;李范硕;李泰渊;林夏珍设计研发完成，并于2020-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本图像传感器以及制造图像传感器的方法在说明书摘要公布了：一种图像传感器以及制造图像传感器的方法，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一浮置扩散区；模制图案，所述模制图案位于所述第一浮置扩散区上方，并且包括开口；第一光电转换部，所述第一光电转换部位于所述半导体衬底的表面；以及第一传输晶体管，所述第一传输晶体管将所述第一光电转换部连接到所述第一浮置扩散区。所述第一传输晶体管包括第一传输栅电极和位于所述开口中的沟道图案。所述沟道图案包括氧化物半导体。所述沟道图案还包括侧壁部分和中心部分，所述侧壁部分覆盖所述开口的侧表面，所述中心部分从所述侧壁部分延伸到所述第一传输栅电极上方的区域。

本发明授权图像传感器以及制造图像传感器的方法在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器，包括： 半导体衬底，所述半导体衬底包括第一浮置扩散区； 模制图案，所述模制图案位于所述第一浮置扩散区上方，并且包括开口； 第一光电转换部，所述第一光电转换部位于所述半导体衬底的表面； 第一传输晶体管，所述第一传输晶体管将所述第一光电转换部连接到所述第一浮置扩散区，并且所述第一传输晶体管包括第一传输栅电极和位于所述开口中的沟道图案，所述沟道图案包括氧化物半导体，所述沟道图案包括侧壁部分和中心部分，所述侧壁部分覆盖所述开口的侧表面，所述中心部分从所述侧壁部分延伸到所述第一传输栅电极上方的区域，其中，所述沟道图案与所述第一光电转换部通过插入在二者之间的所述半导体衬底彼此间隔开； 贯通电极，所述贯通电极设置在所述半导体衬底中，并将所述第一光电转换部连接到所述第一传输晶体管； 第一接触插塞，所述第一接触插塞将所述贯通电极连接到所述沟道图案的第一端；以及 第二接触插塞，所述第二接触插塞将所述第一浮置扩散区连接到所述沟道图案的与所述第一端相对的第二端。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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