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龙图腾网获悉瑞萨电子株式会社申请的专利制造半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112736085B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011092134.2，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权制造半导体器件的方法是由泷泽直树;三原龙善设计研发完成，并于2020-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本制造半导体器件的方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种制造半导体器件的方法。在抛光步骤之后，去除每个栅极电极的一部分，使得在横截面视图中，每个栅极电极的上表面与形成在位于栅极电极之间的栅极绝缘膜中的受损区域相比更靠近半导体衬底的主表面。因此，可以抑制在半导体器件的操作期间发生短路缺陷。

本发明授权制造半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤： a提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，并且具有第一主表面； b在所述步骤a之后，1经由第一栅极绝缘膜在所述第一区域中的所述半导体衬底的所述第一主表面上形成第一栅极电极，2经由第二栅极绝缘膜在以下中的每个上形成第二栅极电极：所述第一区域中的所述半导体衬底的所述第一主表面，以及3所述第一栅极电极的侧表面，并且经由第三栅极绝缘膜在所述第二区域中的所述半导体衬底的所述第一主表面上形成第三栅极电极， 其中所述第二栅极绝缘膜具有电荷存储区域， 其中所述第二栅极绝缘膜包括位于所述第二栅极电极与所述半导体衬底之间的第一部分，以及位于所述第二栅极电极与所述第一栅极电极之间的第二部分，并且 其中所述第一栅极电极、所述第二栅极电极和所述第三栅极电极中的每个由第一材料组成； c在所述步骤b之后，执行将第一导电类型的第一杂质从所述半导体衬底的第一主表面侧到所述半导体衬底中的离子注入，从而1在所述第一区域中的所述半导体衬底的从所述第一栅极电极、所述第二栅极绝缘膜和所述第二栅极电极暴露的部分处，2形成第一半导体区域，并且在所述第二区域中的所述半导体衬底的从所述第三栅极电极暴露的部分处，形成第二半导体区域，以及3在所述第二栅极绝缘膜的所述第二部分的上表面处形成受损区域，使得所述受损区域从所述第一栅极电极和所述第二栅极电极中的每一者暴露； d在所述步骤c之后，在所述半导体衬底的所述第一主表面上形成第一层间绝缘膜，使得所述第一栅极电极、所述第二栅极电极和所述第三栅极电极被所述第一层间绝缘膜覆盖； e在所述步骤d之后，抛光所述第一层间绝缘膜，使得所述第一栅极电极、所述第二栅极电极和所述第三栅极电极中的每个的一部分从所述第一层间绝缘膜暴露； f在所述步骤e之后，将所述第三栅极电极的所述第一材料替换为第二材料，其中所述第二材料不同于所述第一材料；以及 g在所述步骤f之后，通过蚀刻去除所述第一栅极电极和所述第二栅极电极中的每个的一部分，使得在截面图中，所述第一栅极电极和所述第二栅极电极中的每一者的、从所述第一层间绝缘膜暴露的上表面，比在所述第二栅极绝缘膜的所述第二部分处的所述受损区域更靠近所述半导体衬底的所述第一主表面。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人瑞萨电子株式会社，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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