三星电子株式会社朴正镐获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利用于制造半导体封装件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113270329B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110046610.5，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权用于制造半导体封装件的方法是由朴正镐;朴镇右;李锡贤;张在权;全光宰设计研发完成，并于2021-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于制造半导体封装件的方法在说明书摘要公布了：公开了一种用于制造半导体封装件的方法，所述方法包括：在第一载体基底上形成剥离层，其中，剥离层包括第一部分和第二部分，其中，第一部分具有第一厚度，并且第二部分具有比第一厚度厚的第二厚度；在剥离层上形成阻挡层；在阻挡层上形成重新分布层，其中，重新分布层包括布线和绝缘层；将半导体芯片安装在重新分布层上；在重新分布层上形成模制层以至少部分地围绕半导体芯片；将第二载体基底附着到模制层上；去除第一载体基底和剥离层；去除阻挡层；以及将焊球附着到通过去除阻挡层与剥离层的第二部分而暴露的重新分布层上。
本发明授权用于制造半导体封装件的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制造半导体封装件的方法，所述方法包括以下步骤： 在第一载体基底上形成剥离层，其中，剥离层包括第一部分和第二部分，其中，第一部分具有第一厚度，并且第二部分具有比第一厚度厚的第二厚度； 在剥离层上形成阻挡层； 在阻挡层上形成重新分布层，其中，重新分布层包括多条布线和围绕所述多条布线的绝缘层； 将半导体芯片安装在重新分布层上以电连接到重新分布层； 在重新分布层上形成模制层以至少部分地围绕半导体芯片； 将第二载体基底附着到模制层上； 去除第一载体基底和剥离层； 去除阻挡层；以及 将焊球附着到通过去除阻挡层与剥离层的第二部分而暴露的重新分布层上。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励