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珠海深圳清华大学研究院创新中心边雅倩获国家专利权

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龙图腾网获悉珠海深圳清华大学研究院创新中心申请的专利一种NorFlash芯片参考电流调节方法及系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113380306B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110782002.0,技术领域涉及:G11C16/30;该发明授权一种NorFlash芯片参考电流调节方法及系统是由边雅倩;杨柳;王志刚设计研发完成,并于2021-07-09向国家知识产权局提交的专利申请。

一种NorFlash芯片参考电流调节方法及系统在说明书摘要公布了:本发明公开了一种NorFlash芯片参考电流调节方法及系统,方法包括:判断NorFlash芯片的初始电流是否小于目标电流,若是,则:基于擦除电压对NorFlash芯片进行擦除操作,直至经过擦除操作后的NorFlash芯片的电流大于目标电流;基于编程初始电压对NorFlash芯片进行进行编程操作,得到经过初次编程操作后的NorFlash芯片的第一电流;计算第一电流与目标电流的第一差值;判断第一差值是否大于预设值,若是,则基于第一编程电压对NorFlash芯片进行编程操作,若否,则:基于第二编程电压对NorFlash芯片进行编程操作。本发明能够根据NorFlash芯片不同的电流值,灵活采用不同的调节方式,有效减少了操作次数,提高了效率,降低了成本。

本发明授权一种NorFlash芯片参考电流调节方法及系统在权利要求书中公布了:1.一种NorFlash芯片参考电流调节方法,其特征在于,包括: 判断所述NorFlash芯片的初始电流是否小于目标电流,若是,则用擦除操作对所述NorFlash芯片的电流进行粗调: 基于擦除电压对所述NorFlash芯片进行擦除操作,直至经过擦除操作后的所述NorFlash芯片的电流大于所述目标电流,采用编程操作进行细调: 基于编程初始电压对所述NorFlash芯片进行编程操作,得到经过初次编程操作后的所述NorFlash芯片的第一电流; 计算所述第一电流与所述目标电流的第一差值; 判断所述第一差值是否大于预设值,若是,则基于第一编程电压对所述NorFlash芯片进行编程操作,以使用大的步进进行编程操作,若否,则: 基于第二编程电压对所述NorFlash芯片进行编程操作,以使用小的步进进行编程操作。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人珠海深圳清华大学研究院创新中心,其通讯地址为:519080 广东省珠海市唐家湾镇大学路101号清华科技园3栋203;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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