珠海深圳清华大学研究院创新中心边雅倩获国家专利权
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龙图腾网获悉珠海深圳清华大学研究院创新中心申请的专利一种NorFlash芯片参考电流调节方法及系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113380306B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110782002.0,技术领域涉及:G11C16/30;该发明授权一种NorFlash芯片参考电流调节方法及系统是由边雅倩;杨柳;王志刚设计研发完成,并于2021-07-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种NorFlash芯片参考电流调节方法及系统在说明书摘要公布了:本发明公开了一种NorFlash芯片参考电流调节方法及系统,方法包括:判断NorFlash芯片的初始电流是否小于目标电流,若是,则:基于擦除电压对NorFlash芯片进行擦除操作,直至经过擦除操作后的NorFlash芯片的电流大于目标电流;基于编程初始电压对NorFlash芯片进行进行编程操作,得到经过初次编程操作后的NorFlash芯片的第一电流;计算第一电流与目标电流的第一差值;判断第一差值是否大于预设值,若是,则基于第一编程电压对NorFlash芯片进行编程操作,若否,则:基于第二编程电压对NorFlash芯片进行编程操作。本发明能够根据NorFlash芯片不同的电流值,灵活采用不同的调节方式,有效减少了操作次数,提高了效率,降低了成本。
本发明授权一种NorFlash芯片参考电流调节方法及系统在权利要求书中公布了:1.一种NorFlash芯片参考电流调节方法,其特征在于,包括: 判断所述NorFlash芯片的初始电流是否小于目标电流,若是,则用擦除操作对所述NorFlash芯片的电流进行粗调: 基于擦除电压对所述NorFlash芯片进行擦除操作,直至经过擦除操作后的所述NorFlash芯片的电流大于所述目标电流,采用编程操作进行细调: 基于编程初始电压对所述NorFlash芯片进行编程操作,得到经过初次编程操作后的所述NorFlash芯片的第一电流; 计算所述第一电流与所述目标电流的第一差值; 判断所述第一差值是否大于预设值,若是,则基于第一编程电压对所述NorFlash芯片进行编程操作,以使用大的步进进行编程操作,若否,则: 基于第二编程电压对所述NorFlash芯片进行编程操作,以使用小的步进进行编程操作。
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