上海禾赛科技有限公司周权获国家专利权
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龙图腾网获悉上海禾赛科技有限公司申请的专利半导体激光器的快轴准直透镜及形成方法、光发射系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113433604B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110674532.3，技术领域涉及：G02B3/06；该发明授权半导体激光器的快轴准直透镜及形成方法、光发射系统是由周权;吴世祥;张辰琛;向少卿设计研发完成，并于2021-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体激光器的快轴准直透镜及形成方法、光发射系统在说明书摘要公布了：一种用于半导体激光器的快轴准直透镜及形成方法、光发射系统，快轴准直透镜包括：基部，所述基部具有第一面；第一快轴准直部，所述第一快轴准直部位于所述第一面上，所述第一快轴准直部的折射率与所述基部的折射率不同；所述第一快轴准直部适宜于透射所述半导体激光器所产生的光束并压缩所述光束在第一方向上的发散角。本发明可以根据具体光路设计选择合适的第一快轴准直部和所述基部的材料，能够有效提高设置的灵活性，突破快轴准直透镜对光路设计的限制，有利于装配难度的降低和准直效果的改善。
本发明授权半导体激光器的快轴准直透镜及形成方法、光发射系统在权利要求书中公布了：1.一种用于半导体激光器的快轴准直透镜，其特征在于，所述半导体激光器和所述快轴准直透镜应用于激光雷达的光发射系统，其中所述快轴准直透镜包括： 基部，所述基部具有第一面； 第一快轴准直部，所述第一快轴准直部位于所述第一面上，所述第一快轴准直部的折射率与所述基部的折射率不同，所述第一快轴准直部沿第二方向延伸，所述第一快轴准直部沿第二方向的尺寸大于沿第一方向的尺寸，所述第一快轴准直部背向基部的表面为柱面，所述第二方向垂直所述第一方向； 所述第一快轴准直部适宜于透射所述半导体激光器所产生的光束并压缩所述光束在第一方向上的发散角，所述第一方向适宜于与所述半导体激光器的快轴方向相平行。
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