前进材料科技株式会社木岛健获国家专利权
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龙图腾网获悉前进材料科技株式会社申请的专利膜结构体、压电体膜及超导体膜获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113574690B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980093697.2，技术领域涉及：H10N30/87；该发明授权膜结构体、压电体膜及超导体膜是由木岛健;小西晃雄设计研发完成，并于2019-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本膜结构体、压电体膜及超导体膜在说明书摘要公布了：根据本发明，对于各种压电材料，能够将具有单晶的晶体结构的压电体膜形成在本发明的膜结构体之上。本发明的膜结构体具备：基板；形成于所述基板上的、含氧化锆的具有四方晶的晶体结构的缓冲膜；形成于所述缓冲膜上的、外延生长的含铂族元素的金属膜；以及形成于所述金属膜上的、外延生长的含SrTi1‑x，RuxO30≤x≤1的膜。
本发明授权膜结构体、压电体膜及超导体膜在权利要求书中公布了：1.一种膜结构体，其具备： 基板； 形成于所述基板上的、由膜部与突出部构成的含氧化锆的具有四方晶的晶体结构的缓冲膜； 形成于所述缓冲膜上的、外延生长的含铂族元素的金属膜；以及 形成于所述金属膜上的、外延生长的含SrTi1-x，RuxO3的膜，其中，0≤x≤1。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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