保定中创燕园半导体科技有限公司孙永健获国家专利权
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龙图腾网获悉保定中创燕园半导体科技有限公司申请的专利一种基于氮化铝陶瓷材料的复合衬底及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113838955B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010590343.3，技术领域涉及：H10H20/819；该发明授权一种基于氮化铝陶瓷材料的复合衬底及其制备方法和应用是由孙永健;郭坚;豆学刚;陆羽设计研发完成，并于2020-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于氮化铝陶瓷材料的复合衬底及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于氮化铝陶瓷材料的复合衬底，包括：a氮化铝陶瓷基板；b图形结构层，包括位于所述氮化铝陶瓷基板上的图形结构，所述图形结构呈周期性间隔分布于所述氮化铝陶瓷基板上；和c多晶镀膜层，所述多晶镀膜层为覆盖在所述图形结构层和未被所述图形结构覆盖的氮化铝陶瓷基板上的连续层。本发明提供的基于AlN陶瓷材料的复合衬底用于生长GaN或AlN单晶材料，其在避免热失配位错的同时降低了衬底材料的成本。
本发明授权一种基于氮化铝陶瓷材料的复合衬底及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种用于外延生长GaN单晶或AlN单晶的基于氮化铝陶瓷材料的复合衬底，包括： a氮化铝陶瓷基板，其表面粗糙度为0.01-100nm； b图形结构层，所述图形结构层包括呈周期性间隔分布于所述氮化铝陶瓷基板上的图形结构；和 c多晶镀膜层，所述多晶镀膜层为覆盖在所述图形结构层和未被所述图形结构覆盖的氮化铝陶瓷基板上的连续层， 其中，所述图形结构层由氮化铝陶瓷基板的同质材料与异质材料的组合构成，其中，所述异质材料选自SiO2、Si3N4、SiC、Si、ZnO和GaAs中的一种或多种； 其中，所述图形结构层的厚度为0.1-3.5μm，所述异质材料的厚度与同质材料的厚度之比为0.9-0.99:0.01-0.1，所述图形结构的周期为0.2-10μm；所述图形结构的底面直径为0.1-9μm；所述图形结构的高度为0.1-3.5微米，所述多晶镀膜层的厚度为1-500nm。
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