中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司崔锺武获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利堆叠式电容器、半导体存储器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113937090B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010604966.1，技术领域涉及：H01L23/64；该发明授权堆叠式电容器、半导体存储器件及制备方法是由崔锺武;金成基;王桂磊;杨涛;李俊峰;王文武设计研发完成，并于2020-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本堆叠式电容器、半导体存储器件及制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种电容器，包括：底电极；介电层，介电层形成在底电极上；顶电极组件，顶电极组件形成在介电层上，顶电极组件包括自介电层的一侧依次层叠形成的第一顶电极、第二顶电极以及第三顶电极；其中，第一顶电极为金属层，第二顶电极为掺杂碳、硼的硅锗层，第三顶电极为掺杂硼的硅锗层。本申请通过在第一顶电极、第三顶电极之间形成掺杂碳、硼的硅锗层，这样在第一顶电极上形成了掺杂碳、硼的硅锗层与掺杂硼的硅锗层的双重结构，大大减少了电阻增加，同时还减少了掺杂硼的硅锗层的残余应力,降低其对电容器的介电层产生的机械应力，解决了介电层的漏电问题。
本发明授权堆叠式电容器、半导体存储器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种电容器，其特征在于，包括： 底电极； 介电层，所述介电层形成在所述底电极上； 顶电极组件，所述顶电极组件形成在所述介电层上，所述顶电极组件包括自所述介电层的一侧依次层叠形成的第一顶电极、第二顶电极以及第三顶电极； 其中，所述第一顶电极为金属层，所述第二顶电极为掺杂碳、硼的硅锗层，所述第三顶电极为掺杂硼的硅锗层；形成第二顶电极的工艺条件为：反应温度为400-430℃，硼源气体的浓度大于1E21cm-3，锗源气体流量在反应气体总流量的占比大于40％，碳源气体占反应气体总流量的2-7％。
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