华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司安慧林获国家专利权
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龙图腾网获悉华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司申请的专利一种基于电磁超材料的射频微系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114171468B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111495587.4，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权一种基于电磁超材料的射频微系统是由安慧林;李君;周云燕;张文雯;元健设计研发完成，并于2021-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于电磁超材料的射频微系统在说明书摘要公布了：本发明涉及系统级封装技术领域，提出一种基于电磁超材料的射频微系统。该系统包括：腔室；电磁辐射源，其布置于所述腔室中，其中所述电磁辐射源被配置为产生电磁辐射；热辐射源，其布置于所述腔室中，其中所述热辐射源被配置为产生热辐射；以及电磁超材料层，其被配置为吸收电磁辐射以及热辐射。
本发明授权一种基于电磁超材料的射频微系统在权利要求书中公布了：1.一种基于电磁超材料的射频微系统，其特征在于，包括： 腔室； 电磁辐射源，其布置于所述腔室中，其中所述电磁辐射源被配置为产生电磁辐射； 热辐射源，其布置于所述腔室中，其中所述热辐射源被配置为产生热辐射；以及 电磁超材料层，其被配置为吸收电磁辐射， 其中所述电磁超材料层包括： 基板： 屏蔽金属层，其布置在所述基板的第一侧，所述屏蔽金属层被配置为屏蔽电磁辐射以及热辐射；以及 电磁超材料吸波单元，其布置在所述基板的第二侧，所述电磁超材料吸波单元包括： 电磁辐射吸收单元，其被配置为吸收电磁辐射；以及 热辐射吸收单元，其被配置为吸收热辐射， 其中所述电磁辐射吸收单元的尺寸大于所述热辐射吸收单元的尺寸并且所述电磁辐射吸收单元包围所述热辐射吸收单元，所述电磁辐射吸收单元的吸波频带的中心频率在射频波段，吸收射频电磁波；所述热辐射吸收单元的吸波频带的中心频率在红外波段，吸收热辐射波，通过所述电磁辐射吸收单元和所述热辐射吸收单元的结合，所述的电磁超材料吸波单元实现对电磁辐射与热辐射的同时吸收。
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