华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司安慧林获国家专利权
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龙图腾网获悉华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司申请的专利一种基于非均匀电磁超材料的射频微系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114171502B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111494768.5，技术领域涉及：H01L23/552；该发明授权一种基于非均匀电磁超材料的射频微系统是由安慧林;李君;周云燕;张文雯;元健设计研发完成，并于2021-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于非均匀电磁超材料的射频微系统在说明书摘要公布了：本发明涉及系统级封装技术领域，提出一种基于非均匀电磁超材料的射频微系统，包括腔室；多个电磁辐射源，其布置于所述腔室中，其中所述多个电磁辐射源被配置为产生频率各不相同的电磁辐射；以及非均匀电磁超材料层，其包括多个吸波区域，其中所述多个吸波区域被配置为吸收频率各不相同的电磁辐射。
本发明授权一种基于非均匀电磁超材料的射频微系统在权利要求书中公布了：1.一种基于非均匀电磁超材料的射频微系统，其特征在于，包括： 腔室； 多个电磁辐射源，其布置于所述腔室中，其中所述多个电磁辐射源被配置为产生频率各不相同的电磁辐射；以及 非均匀电磁超材料层，其包括多个吸波区域，其中所述多个吸波区域被配置为吸收频率各不相同的电磁辐射，所述多个吸波区域中每一个的吸收频带与该区域下方的电磁辐射源产生的电磁辐射频带相对应， 其中所述非均匀电磁超材料层包括: 基板； 电磁超材料单元，其布置于所述基板的第一侧，其中所述电磁超材料被配置为吸收电磁辐射；以及 金属屏蔽层，其布置于所述基板的第二侧，其中所述金属屏蔽层被配置为屏蔽电磁辐射， 其中所述多个吸波区域包括多种电磁超材料单元，其中所述多种电磁超材料单元被配置为吸收频率各不相同的电磁辐射， 其中所述非均匀电磁超材料层包括电阻性薄膜单元，其中所述电阻性薄膜单元布置于所述电磁超材料单元处和\或所述电阻性薄膜单元布置于多个所述电磁超材料单元之间的连接处。
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