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龙图腾网获悉苏州兆芯半导体科技有限公司申请的专利只读存储器阵列结构、芯片、电子设备及编码方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114187948B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111514757.9，技术领域涉及：G11C16/08；该发明授权只读存储器阵列结构、芯片、电子设备及编码方法是由史秀景;吴守道设计研发完成，并于2021-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本只读存储器阵列结构、芯片、电子设备及编码方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种只读存储器阵列结构，包括m*n个呈矩阵排列的存储单元、m条字线及n条位线，其中，m以及n为大于或等于1的自然数。每一存储单元包括栅极、源极和漏极；所述m条字线与m行存储单元一一对应；所述n条位线与n列存储单元一一对应，且每条位线与对应列的存储单元的漏极连接；其中，每一存储单元的源极接地；根据每一存储单元存储的数据为“0”还是“1”，每一存储单元的栅极与对应的字线连接或者接地。本申请还提供一种芯片以及包括所述芯片的电子设备。本申请还提供一种编码方法。本申请可以可有效减小字线的负载，提高存储性能。

本发明授权只读存储器阵列结构、芯片、电子设备及编码方法在权利要求书中公布了：1.一种只读存储器阵列结构，其特征在于，包括： m*n个呈矩阵排列的存储单元，每一存储单元包括栅极、源极和漏极，其中，m以及n为大于或等于1的自然数； m条字线，与m行存储单元一一对应； n条位线，与n列存储单元一一对应，且每条位线与对应列的存储单元的漏极连接； 其中，每一存储单元的源极接地；根据每一存储单元存储的数据为“0”还是“1”，每一存储单元的栅极与对应的字线连接或者接地； 其中，每条字线沿行方向延伸经过对应的一行存储单元； 每条位线沿列方向延伸经过对应的一列存储单元； 所述只读存储器阵列结构还包括： n条第一地线，每条第一地线沿列方向延伸经过对应的一列存储单元，并与对应列的存储单元的源极连接而实现将每一存储单元的源极接地； n条第二地线，每条第二地线沿列方向延伸经过对应的一列存储单元，其中，根据每一存储单元存储的数据为“0”还是“1”，每一存储单元的栅极与对应的字线连接或者与对应的第二地线连接而接地； 当某一存储单元存储的数据为“0”时，所述存储单元的栅极与对应的字线连接，当某一存储单元存储的数据为“1”时，所述存储单元的栅极与对应的第二地线连接。

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