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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利静电保护结构及静电保护结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114242718B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111544973.8，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权静电保护结构及静电保护结构的形成方法是由范炜盛设计研发完成，并于2021-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本静电保护结构及静电保护结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种静电保护结构及其形成方法，结构包括：衬底，所述衬底内具有阱区，所述阱区包括相邻的第一区、第二区和第三区；位于第二区表面的第一栅极结构和第二栅极结构；位于第二区内的第一掺杂区，所述第一掺杂区、第一栅极结构和第二栅极结构电连接；横跨第二区内和第一区内的第二掺杂区；横跨第二区内和第三区内的第三掺杂区，所述第三掺杂区和第一掺杂区分别位于第二栅极结构两侧；位于第一区内的第四掺杂区和第五掺杂区，所述第四掺杂区和第五掺杂区电连接；位于第三区内的第六掺杂区和第七掺杂区，所述第六掺杂区和第七掺杂区电连接。所述静电保护结构的性能得到提升。

本发明授权静电保护结构及静电保护结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种静电保护结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底内具有阱区，所述阱区包括相邻的第一区、第二区和第三区，所述第二区位于第一区和第三区之间，所述第一区和第三区的导电类型相同，所述第一区和第二区的导电类型相反； 位于第二区表面的第一栅极结构和第二栅极结构； 位于第二区内的第一掺杂区，所述第一掺杂区位于第一栅极结构和第二栅极结构之间，所述第一掺杂区内具有第一离子，所述第一离子的导电类型与第二区的导电类型相同，所述第一掺杂区、第一栅极结构和第二栅极结构电连接； 横跨第二区内和第一区内的第二掺杂区，所述第二掺杂区和第一掺杂区分别位于第一栅极结构两侧，所述第二掺杂区内具有第二离子，所述第二离子的导电类型与第一离子的导电类型相反； 横跨第二区内和第三区内的第三掺杂区，所述第三掺杂区和第一掺杂区分别位于第二栅极结构两侧，所述第三掺杂区内具有第三离子，所述第三离子的导电类型与第一离子的导电类型相反； 位于第一区内的第四掺杂区和第五掺杂区，所述第四掺杂区内具有第四离子，所述第五掺杂区内具有第五离子，所述第四离子和第一区的导电类型相同，所述第四离子和第五离子的导电类型相反，所述第四掺杂区和第五掺杂区电连接； 位于第三区内的第六掺杂区和第七掺杂区，所述第六掺杂区内具有第六离子，所述第七掺杂区内具有第七离子，所述第七离子和第四离子的导电类型相同，所述第六离子和第七离子的导电类型相反，所述第六掺杂区和第七掺杂区电连接。

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