中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司孙天杨获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利湿法刻蚀的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114446765B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011219380.X，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权湿法刻蚀的方法是由孙天杨;余桥;张晓山设计研发完成，并于2020-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本湿法刻蚀的方法在说明书摘要公布了：一种湿法刻蚀的方法，包括：提供基底，所述基底表面具有待刻蚀层；对所述待刻蚀层进行若干次刻蚀处理，直至所述待刻蚀层的厚度达到目标厚度，每次所述刻蚀处理包括：进行第一步刻蚀，所述第一步刻蚀中，所述基底具有第一转速；在所述第一步刻蚀之后，进行第二步刻蚀，所述第二步刻蚀中，所述基底的转速由所述第一转速降低至第二转速，且所述基底表面的化学药液的液膜增至第一厚度；在所述第二步刻蚀之后，进行第三步刻蚀，所述基底具有第三转速，所述第三转速低于或等于所述第一转速，使所述化学药液液膜厚度足够厚，从而减少空气中的氧气进入待刻蚀层表面的机会，利于均匀的刻蚀，提高所述待刻蚀层表面的平整度，减少腐蚀坑缺陷产生的几率。
本发明授权湿法刻蚀的方法在权利要求书中公布了：1.一种湿法刻蚀的方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底表面具有待刻蚀层； 对所述待刻蚀层进行若干次刻蚀处理，直至所述待刻蚀层的厚度达到目标厚度，每次所述刻蚀处理包括： 进行第一步刻蚀，所述第一步刻蚀中，所述基底具有第一转速，化学药液由喷嘴喷向所述基底表面，在所述待刻蚀层表面不断聚集形成化学药液液膜； 在所述第一步刻蚀之后，进行第二步刻蚀，所述第二步刻蚀中，继续向所述基底表面供应所述化学药液，所述基底的转速由所述第一转速降低至第二转速，减少所述基底表面边缘的所述化学药液在离心力的作用下向外甩出，且所述基底表面的所述化学药液液膜增至第一厚度； 在所述第二步刻蚀之后，进行第三步刻蚀，所述第三部刻蚀中的所述化学药液的流量低于所述第一步和所述第二步中的所述化学药液的流量，所述基底具有第三转速，所述第三转速低于或等于所述第一转速。
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