中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司郑二虎获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114497216B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011257823.4，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体结构及其形成方法是由郑二虎设计研发完成，并于2020-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中，方法包括：提供衬底，所述衬底上具有若干相互分立的鳍部结构；在所述鳍部结构表面形成栅介质膜；在所述衬底上和所述栅介质膜表面形成保护膜；在所述保护膜表面形成栅电极材料层；刻蚀部分所述栅电极材料层，直至暴露出所述保护膜表面，在所述保护膜上形成若干相互分立的栅电极，所述栅电极横跨所述鳍部结构。从而，提高了半导体结构的性能和可靠性，并降低形成半导体结构的工艺难度。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底上具有若干相互分立的鳍部结构； 在所述鳍部结构表面形成栅介质膜； 在所述衬底上和所述栅介质膜表面形成保护膜； 在所述保护膜表面形成栅电极材料层； 刻蚀部分所述栅电极材料层，直至暴露出所述保护膜表面，以在所述保护膜上形成若干相互分立的栅电极，所述栅电极横跨所述鳍部结构； 刻蚀部分所述栅电极材料层的方法还包括：采用第一刻蚀工艺刻蚀部分所述栅电极材料层，直至暴露出所述保护膜顶面；在暴露出所述保护膜顶面之后，采用第二刻蚀工艺刻蚀部分所述栅电极材料层，直至暴露出所述衬底上的保护膜表面，以形成若干所述栅电极，并且，所述第一刻蚀工艺中对所述保护膜的刻蚀速率大于所述第二刻蚀工艺中对所述保护膜的刻蚀速率。
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