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龙图腾网获悉清华大学申请的专利相控阵天线单元及二维扫描相控阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114744403B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210220616.4，技术领域涉及：H01Q3/34；该发明授权相控阵天线单元及二维扫描相控阵列是由杨帆;许慎恒;任永丽;李懋坤设计研发完成，并于2022-03-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本相控阵天线单元及二维扫描相控阵列在说明书摘要公布了：本申请涉及一种相控阵天线单元及二维扫描相控阵列，相控阵天线单元包括：金属辐射层、基于GaAs的调相HEMT、半绝缘衬底、金属反射板和通孔，相控阵天线单元呈中心线对称；金属辐射层由两个预设形状相连且设置有槽结构对称辐射片、2个对称阻抗匹配线和用于提供控制电压的直流电压控制线及T形直流接地线组成，当控制电压为0V和‑5V时，调相HEMT分别为导通和截止状态时，相控阵天线单元分别为第一状态和第二状态，两个状态相位相差180°，可进行1bit调相。通过独立控制每个单元实现太赫兹二维扫描，解决了一维相控阵扫描天线无法实现精确测角且易发生波瓣分裂，导致副瓣高、增益低等问题，可实现大规模布阵，易于工程化。

本发明授权相控阵天线单元及二维扫描相控阵列在权利要求书中公布了：1.一种相控阵天线单元，其特征在于，包括：金属辐射层、基于GaAs的调相HEMT、半绝缘衬底、金属反射板和通孔，其中，所述金属辐射层、所述调相HEMT、所述半绝缘衬底、所述金属反射板和所述通孔均呈中心线对称；所述金属辐射层由两个预设形状相连且设置有槽结构对称辐射片、直流电压控制线、2个对称阻抗匹配线和T形直流接地线组成； 所述基于GaAs的调相HEMT集成于所述相控阵天线单元中，所述对称辐射片为两个形状为"E"的相连在一起的带槽结构，所述通孔为锥形通孔，顶层直径为40um，底层直径为70um，所述锥形通孔用于使得每个独立控制的所述相控阵天线单元的控制线实现多层布线； 所述基于GaAs的调相HEMT设置于所述对称辐射片的中心位置； 所述基于GaAs的调相HEMT，包括：本征GaAs、本征AlGaAs、提供载流子的参杂AlGaAs、2个欧姆接触贴片和1个控制栅极贴片； 其中，所述直流电压控制线和所述T形直流接地线用于所述基于GaAs的调相HEMT提供控制电压，当控制电压为0V时，所述调相HEMT导通，所述相控阵天线单元为第一状态；当所述控制电压为-5V时，所述调相HEMT截止，所述相控阵天线单元为第二状态，所述第一状态和所述第二状态的相位相差180°，实现1bit调相，用于太赫兹二维扫描相控阵列中实现方位和俯仰二维扫描。

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