北京海创微芯科技有限公司王晨星获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉北京海创微芯科技有限公司申请的专利厚胶光刻方法及微结构器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114995062B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210773248.6，技术领域涉及：G03F7/16；该发明授权厚胶光刻方法及微结构器件是由王晨星;杨云春;陆原;张拴设计研发完成，并于2022-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本厚胶光刻方法及微结构器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种厚胶光刻方法及微结构器件，其中的厚胶光刻方法包括：在衬底上形成光刻胶层；所述光刻胶层的厚度为20～100微米；对包括光刻胶层的衬底进行N次曝光显影处理，N≥2且为整数；一次所述曝光显影处理包括：对所述包括光刻胶层的衬底进行曝光，控制曝光能量为200～2000mjcm2；对曝光后的衬底进行显影，控制显影时间为3～10分钟。上述方法能够使光刻胶层的孔侧壁陡直，提高了器件的可靠性。
本发明授权厚胶光刻方法及微结构器件在权利要求书中公布了：1.一种厚胶光刻方法，其特征在于，所述方法包括： 在衬底上形成光刻胶层；所述光刻胶层的厚度为20~100微米； 对包括光刻胶层的衬底进行N次曝光显影处理，N≥2且为整数；一次所述曝光显影处理包括：对所述包括光刻胶层的衬底进行曝光，控制曝光能量为200~2000mjcm2；对曝光后的衬底进行显影，控制显影时间为3~10分钟； 在N次曝光显影处理过程中，控制第一次的曝光能量大于第二次，第一次的显影时间长于第二次； 在所述对包括光刻胶层的衬底进行N次曝光显影处理之前，所述方法还包括： 对所述包括光刻胶层的衬底进行第一烘烤；所述对所述包括光刻胶层的衬底进行第一烘烤，包括：在烘烤所述包括光刻胶层的衬底时，控制烘烤温度为60~150℃，烘烤时间为1~5分钟； 在所述对曝光后的衬底进行显影之前，所述曝光显影处理还包括： 对曝光后的衬底进行第二烘烤。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京海创微芯科技有限公司，其通讯地址为：101407 北京市怀柔区雁栖经济开发区雁栖大街53号院13号楼三层329-04室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励