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龙图腾网获悉中国科学院金属研究所申请的专利一种显示低碳轴承钢奥氏体晶界的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115014915B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210799937.4，技术领域涉及：G01N1/32；该发明授权一种显示低碳轴承钢奥氏体晶界的方法是由张洋鹏;姜海昌;韩东;潘雪新;宋元元;胡小锋;陈胜虎;戎利建设计研发完成，并于2022-07-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种显示低碳轴承钢奥氏体晶界的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种显示低碳轴承钢奥氏体晶界的方法，属于轴承材料的物理化学检测技术领域。首先采用氧化预处理使晶界上生成更多的易腐蚀第二相并加剧晶界元素偏析，进而增强晶界与晶内基体的耐蚀性差异，之后再采用化学腐蚀的方法显示原奥氏体晶界。具体为：1经机械抛光处理后的样品在600～720℃氧化处理0.5～4h；2采用机械研磨和抛光的方法去除氧化层；3采用10gFeCl3+40mlHCl+40ml水+0.3‑0.8g十二烷基苯磺酸钠的腐蚀剂浸泡；4样品冲洗、干燥并观察奥氏体晶界。本发明采用了氧化预处理与化学腐蚀相结合的方法，使低碳轴承钢的奥氏体晶界与晶内的腐蚀衬度更明显。

本发明授权一种显示低碳轴承钢奥氏体晶界的方法在权利要求书中公布了：1.一种显示低碳轴承钢奥氏体晶界的方法，其特征在于：该方法首先采用氧化预处理使晶界上形成更多的易腐蚀第二相并加剧晶界元素偏析，进而增强晶界与晶界内组织的耐蚀性差异；之后再采用化学腐蚀的方法显示出原奥氏体晶界； 该方法包括如下步骤： 1样品制备：先将低碳轴承钢进行淬火处理，之后对样品进行机械研磨和抛光，然后使用无水乙醇对其表面进行清洁、烘干，得到待分析样品； 2氧化预处理：将待分析样品在干燥空气中进行保温处理，保温温度在720℃，保温时间为0.5～4h，冷却方式为空冷； 3样品表面处理：氧化预处理后的样品依次采用机械研磨和抛光的方法去除氧化层；或者，氧化预处理后的样品直接采用抛光的方法去除氧化层； 4化学腐蚀：将经步骤3表面处理过的样品干燥后放置在腐蚀剂中浸泡10-60s；所述腐蚀剂是由FeCl3、十二烷基苯磺酸钠、水和HCl组成； 5晶界观察：对腐蚀过后的试样先用清水再用无水乙醇清洗，之后用吹风机干燥，最后观察其奥氏体晶界； 步骤4中，所述腐蚀剂是向烧杯中依次加入10gFeCl3、0.3-0.8g十二烷基苯磺酸钠、40ml水和40ml浓HCl，再进行充分搅拌后得到， 步骤2中，选定的氧化预处理温度为720℃，以避免组织发生再结晶行为，确保氧化预处理不对钢的奥氏体晶粒尺寸产生影响， 步骤2中，样品氧化预处理时，保温时间为0.5h～4h，以使样品发生充分的氧化。

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