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龙图腾网获悉中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请的专利一种EUV掩膜板对准标记的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115020204B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210639749.5，技术领域涉及：H01L21/033；该发明授权一种EUV掩膜板对准标记的制备方法是由邓文渊;喻波;金春水设计研发完成，并于2022-06-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种EUV掩膜板对准标记的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种EUV掩膜板对准标记的制备方法，涉及半导体制造技术领域，包括以下步骤：S1：通过仿真手段对EUV掩膜板对准标记的凹槽结构参数进行优化，确定EUV掩膜板对准标记凹槽的结构优化参数，用于改善对准标记位置探测的准确性和重复性；S2：根据确定的EUV掩膜板对准标记凹槽的结构优化参数，对金刚石针尖刀具进行选型；S3：根据确定的EUV掩膜板对准标记凹槽的结构优化参数，利用所述步骤S2中所选金刚石针尖刀具对EUV掩模白板进行对准标记加工。本发明采用金刚石加工方法制备掩模对准标记的凹槽，可以高效获得具有特定具体结构的EUV掩模对准标记凹槽，用于解决现有EUV掩模板对准标记加工步骤多、流程长、时间长、重复性差等问题。

本发明授权一种EUV掩膜板对准标记的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种EUV掩膜板对准标记的制备方法，其特征在于，采用金刚石纳米加工技术，包括以下步骤： S1：通过仿真手段对EUV掩膜板对准标记的凹槽结构参数进行优化，确定EUV掩膜板对准标记凹槽的结构优化参数，用于改善对准标记位置探测的准确性和重复性； S2：根据确定的EUV掩膜板对准标记凹槽的结构优化参数，对金刚石针尖刀具进行选型； S3：根据确定的EUV掩膜板对准标记凹槽的结构优化参数，利用所述步骤S2中所选金刚石针尖刀具对EUV掩模白板进行对准标记加工； 所述步骤S3中利用AFM纳米压电探针和高精度二维移动精密工作台集成的纳米加工系统，采用扫描的方式对EUV掩模白板进行对准标记的制备； 所述步骤S3具体为： S31：设定AFM的扫描范围为0，使AFM针尖接近EUV掩模白板的表面，根据所需加工的凹槽深度设置金刚石针尖的载荷，控制压电陶瓷使AFM悬臂弯曲变形处于恒定的状态，从而保证针尖载荷恒定，通过控制针尖载荷实现微凹槽深度的控制； S32：由控制器通过DA模块控制二维移动精密工作台在x方向和y方向上移动，即金刚石针尖的刻划方向和进给方向的移动，来实现工件以及针尖之间的相对运动，完成对准标记凹槽的刻划加工； S33：更换成用于边缘加工的金刚石针尖，完成对准标记的边缘结构加工。

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