买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利一种存储器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115116851B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210761844.2，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种存储器的制备方法是由归琰;姜兰设计研发完成，并于2022-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种存储器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种存储器的制备方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有依次堆叠的第一氧化层、字线材料层、第二氧化层及硬掩模层；刻蚀所述硬掩模层、所述第二氧化层、所述字线材料层、所述第一氧化层及所述衬底的部分厚度，以形成沟槽；在所述沟槽内形成金属浮栅材料层，所述金属浮栅材料层覆盖所述沟槽的内壁并延伸覆盖所述硬掩模层；对所述金属浮栅材料层进行氮化处理，以修补所述金属浮栅材料层中的离子空缺，形成稳定的金属化合物晶体结构，防止游离金属离子扩散影响所述金属浮栅材料层的连续性，进而保证后续形成的金属浮栅层的连续性。

本发明授权一种存储器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底上形成有依次堆叠的第一氧化层、字线材料层、第二氧化层及硬掩模层； 刻蚀所述硬掩模层、所述第二氧化层、所述字线材料层、所述第一氧化层及所述衬底的部分厚度，以形成沟槽； 在所述沟槽内形成金属浮栅材料层，所述金属浮栅材料层覆盖所述沟槽的内壁并延伸覆盖所述硬掩模层； 对所述金属浮栅材料层进行氮化处理； 形成所述沟槽之后，形成所述金属浮栅材料层之前，还包括： 在所述沟槽内形成阻挡材料层，所述阻挡材料层覆盖所述沟槽的内壁并延伸覆盖所述硬掩模层； 对所述阻挡材料层进行退火工艺； 对所述金属浮栅材料层进行氮化处理之后还包括： 在所述金属浮栅材料层上形成阻挡氧化层，所述阻挡氧化层覆盖所述沟槽的内壁并延伸覆盖所述硬掩模层上的所述金属浮栅材料层； 以所述阻挡氧化层为掩模除去所述硬掩模上及所述沟槽底部的所述金属浮栅材料层及所述阻挡材料层，剩余的所述金属浮栅材料层及所述阻挡材料层分别构成金属浮栅层及阻挡层，所述金属浮栅材料层的材料为四氮化三钛； 除去剩余的所述阻挡氧化层； 在所述沟槽内形成源线层，所述源线层至少填充部分所述沟槽； 除去所述硬掩模层、所述第二氧化层、部分所述字线材料层及部分所述第一氧化层，剩余的所述字线材料层及所述第一氧化层分别构成字线层及遂穿氧化层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华力集成电路制造有限公司，其通讯地址为：201314 上海市浦东新区良腾路6号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。