三星电子株式会社黄善宽获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利包括贯通孔结构的半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115132698B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210063164.3，技术领域涉及：H01L23/522；该发明授权包括贯通孔结构的半导体器件是由黄善宽;金泰成;罗勋奏;文光辰;全炯俊设计研发完成，并于2022-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括贯通孔结构的半导体器件在说明书摘要公布了：可以提供一种半导体器件，包括：半导体衬底；集成电路层，在半导体衬底上；第一至第n金属布线层其中n为正整数，顺序堆叠在半导体衬底和集成电路层上；第一贯通孔结构，沿竖直方向从第一过孔连接金属布线层向半导体衬底延伸并穿过半导体衬底，该第一过孔连接金属布线层是除第一金属布线层之外的第二至第n金属布线层之一；以及第二贯通孔结构，与第一贯通孔结构分开，沿竖直方向从第二过孔连接金属布线层向半导体衬底延伸并穿过半导体衬底，该第二过孔连接金属布线层是除第一金属布线层之外的第二至第n金属布线层之一。
本发明授权包括贯通孔结构的半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 半导体衬底； 集成电路层，在所述半导体衬底上； 第一金属布线层至第n金属布线层，顺序堆叠在所述半导体衬底与所述集成电路层上，其中n为正整数； 第一贯通孔结构，作为第一贯通电极，与所述集成电路层的一侧分开第一间距，所述第一贯通孔结构沿竖直方向从第一过孔连接金属布线层向所述半导体衬底延伸并穿过所述半导体衬底，所述第一过孔连接金属布线层是除所述第一金属布线层之外的第二金属布线层至第n金属布线层中的一个金属布线层；以及 第二贯通孔结构，作为第二贯通电极，与所述集成电路层的另一侧分开第二间距，并与所述第一贯通孔结构分开，所述第二贯通孔结构沿竖直方向从第二过孔连接金属布线层向所述半导体衬底延伸并穿过所述半导体衬底，所述第二过孔连接金属布线层是除所述第一金属布线层之外的第二金属布线层至第n金属布线层中的一个金属布线层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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